[发明专利]一种铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种镁掺杂金属-有机框架单晶材料及其制备方法，具体是指一种Cu掺杂[(CH₃)₂NH₂]Co(HCOO)₃单晶材料（缩写为DMCu_0.5Co_0.5F，DM为[(CH₃)₂NH₂]⁺¹，F为[(HCOO)₃]^-3）及其制备方法。

技术背景

金属-有机框架（Metal-Organic Frameworks，MOFs）材料因在催化、储氢和光学元件等方面具有潜在的应用价值而受到广泛关注，是目前新功能材料研究领域的一个热点。由于有机物化合物具有制备灵活、骨架柔性、易裁剪性以及易形成高度各向异性和低晶格对称性结构等方面的优点，人们近年来尝试将铁电性有机物和磁性过渡金属离子结合，设计出基于金属-有机杂化的新型多铁性材料。

DMCoF材料中磁电耦合效应的发现，表明将有机铁电与磁性金属离子相结合，将会大大拓展多铁性材料和磁电耦合效应的探索空间。DMCoF的制备方法主要有水热法，液相法等。水热法是指在密封的压力容器内，以水作为溶剂，在温度100～400°C，压力大于0.1MPa直至几十到几百MPa的条件下，使前驱物（原料）反应并且结晶。即提供一个在常压条件下无法得到的特殊的物理化学环境，使前驱物在反应系统中得到充分的溶解，形成原子或分子生长基元，成核并结晶。水热法具有反应速度快，产物纯度高、结晶度好、团聚少等优点。目前，通过水热法合成的DMCoF材料多以粉末微晶和微小单晶为主，但是，作为器件应用受到极大限制，因此如何更好地控制DMCoF单晶的生长，使得单晶的尺寸达到易于制作器件的要求，并拓宽其产业应用具有非常重要的意义。

随着人们对金属-有机框架材料研究的深入，人们正努力对多铁性MOFs基单晶材料的磁电耦合机制进行充分的研究，希望可以通过复合、掺杂一些金属元素来改变DMCoF中Co位的磁结构和电子结构，并对其磁电耦合效应进行有效调控，从而大大拓宽MOFs材料的应用价值。目前，一种Cu掺杂[(CH₃)₂NH₂]Co(HCOO)₃单晶材料及其制备方法还没有报道。

发明内容

本发明的目的是为获得新型Cu掺杂DMCoF单晶材料以及尺寸更大的DMCu_0.5Co_0.5F单晶，同时该DMCu_0.5Co_0.5F单晶的制备方法简单、方便，提供了一种铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料及其制备方法。

本发明的技术方案为：

一种铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料是由尺寸为3.0×3.0×1.5～4.0×4.0×2.5 mm³，并且化合物中铜离子和钴离子的摩尔百分比为1:1的DMCu_0.5Co_0.5F单晶组成。

所述的DMCu_0.5Co_0.5F单晶为深粉红色晶体，化学式为[(CH₃)₂NH₂]Cu_0.5Co_0.5 (HCOO)₃。

所述的铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料的制备方法包括下述步骤：

（1）在烧杯中依次加入浓硫酸、丙酮、无水乙醇和去离子水，分别超声清洗15分钟，以去除烧杯中残余金属离子和有机物，将清洗后的烧杯保存备用；

（2）将氯化铜和氯化钴按照1：1的摩尔比称取混合，与N,N-二甲基甲酰胺溶于15 mL蒸馏水中，搅拌使其充分溶解；其中N,N-二甲基甲酰胺与蒸馏水的体积比为1：1，每摩尔氯化铜和氯化钴混合物所需蒸馏水用量为6mL；

（3）将步骤（2）所得混合溶液装入反应釜内，密封后将其加热至135～145°C进行反应，并保温60～72小时，然后自然冷却至室温；

（4）将步骤（3）反应后的饱和清液用移液管取出并装入步骤（1）清洗过的烧杯中，然后将烧杯放入恒温恒湿箱内；设定30段降温曲线，温度区间为28～22°C，每段温差0.5°C，每段温度区间保温2.5～3小时，湿度为45～55%；