[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的检测装置及检测方法有效
| 申请号： | 201510102605.6 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104795339B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴金力;沈磊 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G02F1/13 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 检测 装置 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板的检测方法，用于对薄膜晶体管阵列基板(40)进行非晶硅残留缺陷检测，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：
将薄膜晶体管阵列基板(40)置于载台基座(30)上；
利用加热装置(32)先对薄膜晶体管阵列基板(40)进行加热；以及
当薄膜晶体管阵列基板(40)被加热达到预定温度时，对薄膜晶体管阵列基板(40)开始进行非晶硅残留缺陷检测，在进行非晶硅残留缺陷检测时，具体是通过检测像素电压的变化，来判断所检测的像素是否存在非晶硅残留缺陷。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述加热装置(32)设置于所述载台基座(30)的上表面。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述载台基座(30)上设置有凹槽(31)，所述加热装置(32)嵌入于所述凹槽(31)中。
4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述加热装置(32)为电加热条。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述电加热条的数量为多个，均匀分布设置在所述载台基座(30)上。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述多个电加热条之间相互平行。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述电加热条的上表面与所述载台基座(30)的上表面平齐。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的检测方法，其特征在于，所述预定温度为50至60摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
