[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一插塞；

位线，与所述第一插塞耦接，提供在所述第一插塞之上，以及在一个方向上延伸；

第二插塞，包括与所述位线相邻的第一部分和与所述第一插塞相邻的第二部分；

双气隙，设置在所述第二插塞的第一部分与所述位线之间，并且包括第一气隙和第二气隙，其中，所述第一气隙包围所述第二插塞的第一部分，并且所述第二气隙与所述位线平行地延伸；

覆盖层，覆盖所述第一气隙和所述第二气隙；

第一电介质间隔件，从所述位线的侧壁之上延伸至所述第一插塞的侧壁之上；以及

第二电介质间隔件，设置在所述第一气隙和所述第二气隙之间，

其中，所述第二电介质间隔件的一部分与所述覆盖层接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三气隙和第四气隙，设置在所述第二插塞的第二部分与所述第一插塞之间，

其中，所述第三气隙与所述第二气隙垂直地耦接，所述第四气隙与所述第一气隙垂直地耦接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三气隙，设置在所述第二插塞的第二部分与所述第一插塞之间，

其中，所述第三气隙与所述第二气隙垂直地耦接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二电介质间隔件与所述位线平行地延伸。

5.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二气隙设置在所述第一电介质间隔件与所述第二电介质间隔件之间，以及

其中，所述第一气隙设置在所述第二电介质间隔件与所述第二插塞的所述第一部分之间。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电介质间隔件和所述第二电介质间隔件中的每个包括氮化硅。

7.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一区和第二区；

第一插塞，与所述第一区耦接；

位线，提供在所述第一插塞之上，并且与所述第一插塞耦接；

第二插塞，包括与所述位线相邻的第一部分和与所述第一插塞相邻的第二部分，其中，所述第二插塞与所述第二区耦接；

第一气隙和第二气隙，设置在所述第二插塞的第一部分与所述位线之间；

第三气隙，设置在所述第二插塞的第二部分与所述第一插塞之间；

覆盖层，覆盖所述第一气隙的上部和所述第二气隙的上部；

第三插塞，提供在所述第二插塞之上；以及

存储元件，提供在所述第三插塞之上。

8.如权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述第一气隙为环形，并且包围所述第二插塞的第一部分，以及

其中，所述第二气隙为线形，并且与所述位线平行地延伸。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第三气隙从所述第二气隙延伸以形成延续。

10.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

第四气隙，设置在所述第二插塞的第二部分与所述第三气隙之间，

其中，所述第三气隙与所述第二气隙垂直地耦接，所述第四气隙与所述第一气隙垂直地耦接。

11.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

电介质间隔件，与所述位线平行，并且从所述位线的侧壁之上延伸至所述第一插塞的侧壁之上，

其中，所述第二气隙和所述第三气隙被包括在所述电介质间隔件中。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中，所述电介质间隔件包括第一间隔件和第二间隔件，以及

其中，所述第二气隙和所述第三气隙设置在所述第一间隔件与所述第二间隔件之间。