[发明专利]降低动态损耗的沟槽式二极管结构在审
| 申请号： | 201510103244.7 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104659112A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 动态 损耗 沟槽 二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低动态损耗的沟槽式二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域（2）与N导电区域（3）；其特征是：在所述P导电区域（2）内设有若干隔离沟槽（5），所述隔离沟槽（5）在P导电区域（2）内垂直延伸，且隔离沟槽（5）的槽底位于N导电区域（3）内；所述P导电区域（2）与半导体基板上的阳极金属（1）欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的降低动态损耗的沟槽式二极管结构，其特征是：在隔离沟槽（5）外上方的侧壁上设有N+区域（7），所述N+区域（7）位于P导电区域（2）内，且N+区域（7）与隔离沟槽（5）的外壁相接触，所述N+区域（7）与阳极金属（1）欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的降低动态损耗的沟槽式二极管结构，其特征是：所述隔离沟槽（5）内填充有隔离体（6），所述隔离体（6）包括覆盖在隔离沟槽（5）内壁以及底壁上的绝缘氧化层，在覆盖有绝缘氧化层的隔离沟槽（5）内还填充有导电多晶硅。
4.根据权利要求1所述的降低动态损耗的沟槽式二极管结构，其特征是：所述N导电区域（3）上设置阴极金属（4），所述阴极金属（4）与N导电区域（3）欧姆接触。
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