[发明专利]一种结构简单的饱和电抗器

权利要求书

1.一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，它为单相的，包括饱和电抗器闭环铁芯，饱和电抗器闭环铁芯至少有两根截面积相等的铁芯柱，这两根铁芯柱各自至少有能形成一条不经过对方铁芯柱的磁通闭环；这两根铁芯柱分别都有线圈；所述各线圈匝数相同；

两铁芯柱中线圈的同名端连接端子I，两铁芯柱中线圈的异名端与端子II之间分别串联一电阻；所述两电阻的电阻值相同；

其中一电阻并联正向晶闸管，另一电阻则并联反向晶闸管；所述各晶闸管的控制端均与控制电路连接；

控制电路控制各晶闸管触发角的大小，实现连续调节饱和电抗器电抗值的大小。

2.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述各电阻的电阻值大于零，小于Rmax＝U2/I1；U2为晶闸管的最大耐压，I1为饱和电抗器额定电压条件下单线圈的励磁电流峰值。

3.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述控制电路控制两晶闸管全截止时，两晶闸管不工作，各线圈中的直流电流等于零，饱和电抗器有最大值Zmax；

控制电路控制各晶闸管全导通时，流过各线圈的直流电流达到最大设计值，饱和电抗器有最小值Zmin；

控制电路控制各晶闸管整流量的大小，从而控制各线圈中直流电流的大小，实现控制快速饱和电抗器电抗值的大小；

控制电路连续控制各晶闸管整流量的大小，从而连续控制各线圈中直流电流的大小，实现饱和电抗器电抗值的连续调节，饱和电抗器电抗值在最大值与最小值之间调节、变化。

4.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述各电阻采用压敏电阻，压敏电阻的限制电压小于U2。

5.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述各电阻采用双向稳压管替换，双向稳压管的稳定电压小于U2。

6.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述闭环铁芯是一体的。

7.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述闭环铁芯采用磁阀结构。

8.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述两晶闸管两端并联压敏电阻或双向稳压管。

9.如权利要求1所述的一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，所述两晶闸管两端并联电阻与电容串联的阻尼电路。

10.一种结构简单的饱和电抗器，其特征是，它采用权利要求1-9任一所述的单相结构的简单的饱和电抗器构成结构简单的三相饱和电抗器。