[发明专利]存储装置和使用定时器设置的相关方法有效
申请号: | 201510103603.9 | 申请日: | 2015-03-10 |
公开(公告)号: | CN104916326B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 金荣峰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/12;G11C16/34 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜长星<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 使用 定时器 设置 相关 方法 | ||
提供一种使用定时器设置的存储装置和相关方法。所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。当在断电状态之后通电时,所述存储装置搜索用于至少一个页中的至少一个存储器单元的读取电压,使用电压‑时间查找表计算与搜索到的读取电压相应的关断时间,并使用与在断电之前被编程的页相应的时间戳和关断时间来设置存储装置的定时器。
本申请要求于2014年3月14日提交的第10-2014-0030272号韩国专利申请的优先权,该专利申请的主题通过引用合并于此。
技术领域
本发明构思总体上涉及一种存储装置,更具体地讲,涉及使用定时器设置的存储装置和方法。
背景技术
半导体存储器装置可根据当断电时它们是否保留存储的数据,而被大致划分成两个类别。这些类别包括当断电时丢失存储的数据的易失性存储器装置和当断电时保留存储的数据的非易失性存储器装置。易失性存储器装置的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM),非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)和闪存。
由于诸如相对高的存储密度、高效性能、每比特低成本和承受物理冲击的能力的吸引人的特征,闪存是非易失性存储器的特别普及的形式。当前,闪存和其他形式的非易失性存储器用于在诸如计算机、航空电子、电信和消费者电子行业(仅列举一些)的广泛种类的应用中存储用户数据、程序和微代码。
发明内容
在本发明构思的一个实施例中,提供一种用于操作存储装置的方法,所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。所述方法包括:当在断电状态之后通电时,搜索用于至少一个页中的至少一个存储器单元的读取电压;使用电压-时间查找表计算与搜索到的读取电压相应的关断时间;使用与在断电之前被编程的页相应的时间戳和关断时间来设置存储装置的定时器。
在本发明构思的另一实施例中,提供一种存储装置和存储器控制器。所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置,所述至少一个非易失性存储器装置包括多个存储器块,每个存储器块包括连接到位线的沿与基板垂直的方向布置的多个串,每个串包括至少一个串选择晶体管、多个存储器单元和至少一个接地选择晶体管,其中,所述至少一个非易失性存储器装置在编程操作中存储注册了全局时间的时间戳,并使用时间戳在读取操作中设置期望的读取电压。存储器控制器被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置,并包括用于产生全局时间的定时器。定时器使用与在断电状态之前被编程的页相应的时间戳和与在断电状态后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间来产生全局时间。读取电压的变化和关断时间之间的关系被存储在电压-时间查找表中。
在本发明构思的另一实施例中,提供一种用于对存储装置编程的方法,所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。所述方法包括:接收编程请求;确定是否设置定时器;当确定的结果为设置定时器时,使用电压-时间查找表和设置定时器所需的读取电压来设置定时器。所述方法还包括:在将从定时器产生的全局时间更新为时间戳的同时,根据编程请求执行编程操作。全局时间包括与在断电后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间。
在本发明构思的另一实施例中,提供一种用于读取存储装置的方法,所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器。所述方法包括:接收读取请求;使用被请求读取的页的时间戳和全局时间设置至少一个读取电压;根据设置的读取电压对被请求读取的页执行读取操作。全局时间包括与在断电状态后通电之前的读取电压的变化相应的关断时间。
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