[发明专利]固态成像设备和成像系统

权利要求书

1.一种固态成像设备，其特征在于，包括：

多个像素，所述多个像素中的每一个包括

光电转换部，对入射光进行光电转换以产生信号电荷；

电荷保持部，积聚从光电转换部转移的信号电荷；以及

浮置扩散区，电荷保持部的信号电荷被转移到所述浮置扩散区，其中，

光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区，以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区，所述信号电荷被保持在第二半导体区中；

电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区，以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区，所述信号电荷被保持在第四半导体区中；并且

第三半导体区与第四半导体区之间的p-n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p-n结深。

2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

第四半导体区具有比第二半导体区高的杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

电荷保持部的面积比光电转换部的面积大。

4.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

电荷保持部还具有第一导电类型的第五半导体区，第五半导体区被形成为与第四半导体区的底部接触。

5.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

光电转换部还具有第六半导体区，第六半导体区被形成为与第一半导体区的位于电荷保持部侧的端部接触，并且具有比第一半导体区低的杂质浓度。

6.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

电荷保持部还具有第一导电类型的第七半导体区，第七半导体区被形成为与第三半导体区的位于浮置扩散区侧的端部接触，并且具有比第三半导体区低的杂质浓度。

7.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

电荷保持部还具有第一导电类型的第八半导体区，第八半导体区被形成为与第三半导体区的位于光电转换部侧的端部接触，并且具有比第三半导体区低的杂质浓度。

8.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

电荷保持部还具有第二导电类型的第九半导体区，第九半导体区被布置在第三半导体区的位于浮置扩散区侧的端部附近。

9.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中，

电荷保持部还具有第二导电类型的第十半导体区，第十半导体区被布置在第三半导体区的位于光电转换部侧的端部附近。

10.根据权利要求5所述的固态成像设备，还包括：

控制信号电荷从光电转换部转移到电荷保持部的晶体管，其中，第六半导体区延伸到该晶体管的栅电极下面的区域。

11.根据权利要求8所述的固态成像设备，还包括：

控制信号电荷从电荷保持部转移到浮置扩散区的晶体管，其中，第九半导体区延伸到该晶体管的栅电极下面的区域。

12.根据权利要求9所述的固态成像设备，还包括：

控制信号电荷从光电转换部转移到电荷保持部的晶体管，其中，第十半导体区延伸到该晶体管的栅电极下面的区域。

13.根据权利要求1所述的固态成像设备，还包括：

控制信号电荷从光电转换部转移到电荷保持部的晶体管，其中，该晶体管的栅电极延伸到电荷保持部的上部。

14.一种成像系统，其特征在于，包括：

根据权利要求1所述的固态成像设备；以及

光学系统，在所述固态成像设备上形成被摄体图像。