[发明专利]太阳能电池表面钝化方法有效
| 申请号： | 201510104738.7 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104681670A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张勤杰;傅建奇;张燕;于满 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;张磊 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 表面 钝化 方法 | ||
1.一种太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供一太阳能电池晶体硅衬底，在所述衬底的上、下表面分别形成N+层、P+层；
步骤S02：在所述衬底的N型面、P型面采用双面热氧化法沉积第一SiO2薄膜；
步骤S03：在所述衬底的P型面采用PECVD法沉积第二SiO2薄膜；
步骤S04：在所述衬底的P型面采用PECVD法沉积SiNx薄膜；
步骤S05：在所述衬底的N型面采用PECVD法沉积SiNx薄膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，步骤S02中，采用双面热氧化法沉积第一SiO2薄膜时的沉积温度为750～900℃。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，步骤S02中，采用双面热氧化法沉积第一SiO2薄膜时的沉积厚度为1～3nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，步骤S03中，采用PECVD法沉积第二SiO2薄膜时的沉积温度为380～500℃。
5.根据权利要求1或4所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，步骤S03中，采用PECVD法沉积第二SiO2薄膜时的沉积厚度为2～10nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，步骤S04和步骤S05中，采用PECVD法沉积SiNx薄膜时的沉积温度为380～500℃。
7.根据权利要求1或6所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，步骤S04和步骤S05中，采用PECVD法沉积SiNx薄膜时的沉积厚度为40～200nm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，在所述衬底的上表面通过进行磷扩散形成N+层，其方块电阻为20～120Ω。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，在所述衬底的下表面通过进行硼扩散形成P+层，其方块电阻为20～120Ω。
10.根据权利要求1、8或9所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于，所述衬底为P型或N型硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
