[发明专利]一种台面沟槽隔离法瞬态电压抑制二极管阵列的芯片及其生产工艺

权利要求书

1.一种台面沟槽隔离法瞬态电压抑制二极管阵列的芯片的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：

1)氧化前清洗：通过电子清洗剂SC₂、去离子水超声清洗等工序，对硅片表面进行化学处理，得到干净的原始P型硅片，电阻率为0.005～0.006Ω.cm；

2)氧化：将清洗干净的硅片在1100～1200℃的氧化炉中双面生长氧化层做掩膜，氧化膜厚度1.5μm～2μm；

3)去单面氧化膜：在氧化后的硅片一面涂敷一层光刻胶，采用氟化铵腐蚀液、去离子水去除硅片另一面氧化层；

4)硼源预沉积：在硅片去除氧化层的一面涂覆一层硼液态源，在60～80℃的温度下烘烤后，在温度为1150～1200℃的扩散炉中进行预沉积；

5)硼源主扩散：对预沉积后的硅片在温度为1260～1280℃的扩散炉进行深结推进扩散，在无氧化层面形成深的P⁺层；

6)扩散后处理：用氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层；

7)光刻N⁺区：在硅片未扩散P⁺层的一面通过光刻、显影法制作出N⁺区图形；

8)去N⁺区氧化层：采用氟化铵腐蚀液刻蚀出N⁺区；

9)长牺牲氧化层：在硅片表面生长出一层薄的牺牲氧化层；

10)注入磷：通过离子注入方法注入磷离子1.5～2.5*10¹⁶kev，并采用温度为1100～1150℃进行推进5～8h形成PN结；

11)光刻隔离槽：通过涂胶、曝光、显影工序，形成台面隔离槽图形；

12)台面隔离槽腐蚀：使用硝酸、氢氟酸、冰乙酸，按照5:3.3:1的比例腐蚀台面隔离槽，沟槽深度超过N⁺层深度的1.5倍，混酸温度控制在0～2℃，并用去离子水冲净；

13)电泳玻璃：配置电泳液，把硅片放在配置好的电泳液中，根据台面隔离槽深度需沉积的玻璃重量设置时间，进行玻璃电泳；

14)烧结：把电泳后的硅片在温度为800～820℃的烧结炉中进行烧结，并且通入氧气和含氯气体；

15)去氧化层：用缓冲蚀刻液按照10:1的比例进行浸泡，去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；

16)镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；

17)芯片切割：把镀金后的硅片沿切割道划成单个芯片。

2.如权利要求1所述的生产工艺所制得的台面沟槽隔离法瞬态电压抑制二极管阵列芯片，其特征在于：该台面沟槽隔离法瞬态电压抑制二极管阵列芯片结构为N⁺-P-P⁺型；包括位于底部的扩散P⁺区，扩散P⁺区的上方为基区P区，基区P区的上部周边为芯片划道区，基区P区的上部位于芯片划道区内部分隔成多个注入N⁺区，每个注入N⁺区的上部为金属区，相邻的注入N⁺区之间为台面隔离槽。