[发明专利]晶片处理装置以及晶片的处理方法

说明书

本发明提供晶片处理装置以及晶片的处理方法，能够在不增大装置面积的情况下高效地照射紫外线。作为晶片处理装置的清洗装置(1)具有清洗干燥单元，该清洗干燥单元对保持晶片(W)的保持台(20)以及保持于保持台(20)上的晶片(W)的正面(WS)进行清洗并干燥。保持台(20)具有保持部件(21)和紫外线照射部(23)。保持部件(21)具有保持面(21a)且通过可透过紫外线(U)的材质形成，其中该保持面(21a)形成有多个吸附保持晶片(W)的背面(WR)的吸附孔(24)以保持整个背面(WR)。紫外线照射部(23)配设于保持部件(21)的保持面(21a)的相反侧。

技术领域

本发明涉及清洗晶片的正面的晶片处理装置以及晶片的处理方法。

背景技术

在切削装置中，在切削了保持于框架上的晶片之后，对贴附了该晶片的带照射紫外线而使其粘性降低，从而易于进行切削后的芯片的拾取，以提高作业性。还提出了如下的切削装置：为了提升生产性，将紫外线照射部组入到切削装置中并设置紫外线照射区域，使用切削晶片期间内的待机时间，能够对切削已结束的晶片进行紫外线照射(例如，参照专利文献1)。

专利文献1日本特开平07-45556号公报

然而，专利文献1所述的切削装置需要设置空间以能够组入紫外线照射部，存在晶片口径越大则装置面积就越增大的问题。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够在不增大装置面积的情况下，能够高效地照射紫外线的晶片处理装置以及晶片的处理方法。

为了解决上述课题，达成目的，本发明的晶片处理装置具有：保持台，其保持晶片的背面侧，且能够进行旋转；以及清洗干燥单元，其对保持于该保持台上的晶片的正面进行清洗并干燥，其特征在于，该保持台具有：保持部件，其由使紫外线透过的材质形成，且具有保持面，在该保持面形成有吸附保持晶片的背面的吸附部，保持整个背面；以及紫外线照射部，其配设于该保持部件的保持面的相反侧。

此外，本发明的晶片的处理方法，使用上述晶片处理装置进行晶片的处理，其特征在于，包括：吸附保持步骤，将在背面侧上贴附有紫外线硬化型的保护带的晶片的背面侧吸附保持于该保持台的保持面上；清洗干燥步骤，在实施了该吸附保持步骤后，使该保持台进行旋转并通过该清洗干燥单元对晶片的正面进行清洗干燥；以及紫外线照射步骤，在实施了该清洗干燥步骤后，通过该紫外线照射部对晶片的整个背面照射紫外线。

本发明由能够使紫外线透过的材质形成晶片处理装置的保持台的保持部件，并且在保持部件的下方具有紫外线照射部，因此不会由于紫外线照射部而增大装置面积，从而实现节省空间。此外，在保持部件的下方具有紫外线照射部，因此能够在晶片的清洗干燥后立即照射紫外线。因此，能够在不增大装置面积的情况下高效地照射紫外线。

附图说明

图1是具有作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的切削装置的结构例的立体图。

图2是通过剖面表示作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的局部的立体图。

图3是表示使用作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的清洗干燥步骤的剖面图。

图4是表示使用作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的紫外线照射步骤的剖面图。

图5是通过剖面表示作为实施方式的变形例的晶片处理装置的清洗装置的局部的立体图。

图6是表示使用作为实施方式的变形例的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的紫外线照射步骤的剖面图。

标号说明