[发明专利]制备布图设计的方法、光掩膜、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

基板；

器件隔离层，设置在基板中以限定设置成彼此相邻的第一有源区、第二有源区和第三有源区，第二有源区从第一有源区和第三有源区的最外侧边缘横向突出；以及

栅电极，与第二有源区交叉，其中：

栅电极包括与第二有源区交叉并且彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；

第二有源区设置在第一有源区和第三有源区之间，并且包括彼此相对且分别与第一侧壁和第二侧壁相邻的第一端和第二端；

第一侧壁和第二侧壁具有不同的宽度；

第一端和第二端具有不同的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一侧壁和第二侧壁中的每个侧壁的与器件隔离层叠置的宽度至少为30nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

第二端与第一有源区和第三有源区的最外侧边缘横向分隔开；

第二端的宽度大于第一端的宽度。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，第二侧壁的宽度大于第一侧壁的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

器件隔离层的与第一端相邻的侧壁相对于基板的顶表面形成第一角；

器件隔离层的与第二端相邻的另一侧壁相对于基板的顶表面形成第二角；

第一角与第二角不同。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，第一角小于第二角。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极在平面图中具有不对称的形状。

8.一种制备半导体器件的布图设计的方法，所述方法包括：

将有源图案设置成彼此相邻；

将主栅极图案设置在各个有源图案上；

将至少一个辅助图案设置成与主栅极图案中的设置在有源图案中的最外侧的有源图案上的主栅极图案相邻，其中：

设置有源图案的步骤包括设置彼此平行并且沿第一方向延伸的第一有源图案和第二有源图案；

第二有源图案包括从第一有源图案朝着第一方向突出的部分；

设置主栅极图案的步骤包括设置主栅极图案中的与第二有源图案交叉的最外侧的主栅极图案；

所述至少一个辅助图案包括与主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案接触的第一辅助图案；以及

第一辅助图案被设置成与主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案的一侧相邻，所述一侧不与第一有源图案的侧面相邻并且被设置成与第一有源图案分隔开至少第一有源图案和所述最外侧的主栅极图案之间的距离。

9.如权利要求8所述的方法，其中，主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案与第一辅助图案具有位于与第一有源图案等距的偏位线上的侧面。

10.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

设置与第一有源图案分隔开的第三有源图案，其中，第二有源图案设置在第一有源图案和第三有源图案之间，第二有源图案的从第一有源图案朝着第一方向突出的所述部分从第三有源图案朝着第一方向突出；

设置与主栅极图案中的最外侧的主栅极图案接触的第二辅助图案，其中，主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案与第二辅助图案具有位于与第三有源图案等距的偏位线上的侧面。