[发明专利]磷光体、其制造方法以及使用其的发光装置无效

专利信息
申请号: 201510105500.6 申请日: 2015-03-11
公开(公告)号: CN104910903A 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 冈田葵;加藤雅礼;服部靖 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东;谭邦会
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磷光体 制造 方法 以及 使用 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种由下式(1)表示的磷光体:

((SrpM1-p)1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw      (1)

其中M是至少一种碱土金属,并且p、x、y、z、u和w分别满足以下条件:

0≤p≤1,

0<x≤1,

0.8≤y≤1.1,

2≤z≤3.5,

0<u≤1,

1.5≤z-u,并且

13≤u+w≤15,

其中所述磷光体在峰波长范围是250nm到500nm的激发光激发下展现出在500nm到600nm波长范围内的发射峰;

其中所述磷光体具有一种组成;

所述磷光体呈中值大小是包括端点的5μm到40μm的颗粒形式;且

所述磷光体具有大于70%的发光效率。

2.根据权利要求1所述的磷光体,其中所述M是选自由Ba、Ca和Mg组成的群组的元素。

3.根据权利要求1所述的磷光体,其具有晶格常数与Sr2Al3Si7ON13晶体的晶格常数的差在±15%范围内的晶体。

4.根据权利要求1所述的磷光体,其具有M-N和M-O的化学键长度分别与Sr2Al3Si7ON13的Sr-N和Sr-O的化学键长度的差在±15%范围内的晶体。

5.根据权利要求1所述的磷光体,其具有属于Sr2Al3Si7ON13型晶体的晶体。

6.一种由下式(1)表示的磷光体:

((SrpM1-p)1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw      (1)

其中M是至少一种碱土金属,并且p、x、y、z、u和w分别满足以下条件:

0≤p≤1,

0<x≤1,

0.8≤y≤1.1,

2≤z≤3.5,

0<u≤1,

1.5≤z-u,并且

13≤u+w≤15;

其中所述磷光体通过以下步骤制造:

混合以下各组分以制备混合物:

含Sr的原料,所述原料选自Sr的氮化物、硅化物、碳化物或碳酸盐,

含M的原料,所述原料选自M的氮化物、硅化物、碳化物或碳酸盐,

含Al的原料,所述原料选自Al的氮化物、氧化物或碳化物,

含Si的原料,所述原料选自Si的氮化物、氧化物或碳化物,和

含Ce的原料,所述原料选自Ce的氯化物、氧化物、氮化物或碳酸盐,

对所述混合物进行第一烧制,然后

在更高温度下对所述经烧制的产物进行第二烧制;

所述磷光体在峰波长范围是250nm到500nm的光激发下展现出500nm到600nm波长范围内的发射峰。

7.一种发光装置,其包含

发光元件,所述发光元件放射出峰波长范围是250nm到500nm的光,和

发光层,所述发光层含有根据权利要求1所述的磷光体。

8.一种发光装置,其包含

发光元件,所述发光元件放射出峰波长范围是250nm到430nm的光,和

发光层,所述发光层含有根据权利要求1所述的磷光体,和另一个在来自所述发光元件的光激发下展现出在400nm到490nm波长范围内的发射峰的磷光体。

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