[发明专利]一种采样时钟产生电路及模数转换器有效

专利信息
申请号: 201510105575.4 申请日: 2015-03-11
公开(公告)号: CN104702281B 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 杨金达;周立人 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 代理人: 徐立
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 采样 时钟 产生 电路 转换器
【权利要求书】:

1.一种采样时钟产生电路,其特征在于,所述采样时钟产生电路包括阻值可变电路、非门类电路、以及电容,所述非门类电路包括输入端、输出端、电源端和接地端,所述非门类电路的输入端接收周期为T的脉冲信号,所述非门类电路的输出端与所述电容的一端连接,所述电容的另一端接地,所述非门类电路的电源端接电源,所述非门类电路的接地端与所述阻值可变电路的一端连接,所述阻值可变电路的另一端接地;

所述非门类电路,用于当所述脉冲信号为高电平时,输出低电平;当所述脉冲信号为低电平时,输出高电平;

所述阻值可变电路,用于阻值每隔时长T变化一次,所述阻值的变化以n*T为周期,每个周期内各次变化后的所述阻值各不相同,n≥2且n为整数。

2.根据权利要求1所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述阻值可变电路包括第一场效应管和n个第一选通开关K1102-K(1101+n),每个所述第一选通开关均包括输入端、输出端和控制端,所述第一场效应管的漏极与所述非门类电路的接地端连接,所述第一场效应管的源极接地,所述第一场效应管的栅极分别与各个所述第一选通开关的输出端连接,各个所述第一选通开关的输入端分别接收一个电压值恒定的信号,且各个所述第一选通开关的输入端接收的信号的电压值各不相同,各个所述第一选通开关的控制端分别接收一个周期为n*T的信号,在每个周期n*T内,所述周期为n*T的信号只在一个时长为T的时间段内为第一电平,其余时间段内均为第二电平,且各个所述选通开关的控制端接收的信号为所述第一电平的时间段不重合;

其中,当所述第一选通开关的控制端接收的信号为所述第一电平时,所述第一选通开关的输入端与所述第一选通开关的输出端连通;当所述第一选通开关的控制端接收的信号为所述第二电平时,所述第一选通开关的输入端与所述第一选通开关的输出端断开。

3.根据权利要求2所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述第一场效应管为结型场效应晶体管JFET、增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、或者耗尽型MOSFET。

4.根据权利要求2所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述阻值可变电路还包括第二场效应管,所述第二场效应管的栅极接电源,所述第二场效应管的漏极与所述第一场效应管的漏极连接,所述第二场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接;

其中,所述第二场效应管和所述第一场效应管均为P沟道场效应管,或者,所述第二场效应管和所述第一场效应管均为N沟道场效应管。

5.根据权利要求4所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述第二场效应管为结型场效应晶体管JFET、增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或者耗尽型MOSFET。

6.根据权利要求2所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述阻值可变电路还包括电阻R,所述电阻R的一端与所述第一场效应管的漏极连接,所述电阻R的另一端与所述第一场效应管的源极连接。

7.根据权利要求2所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述采样时钟产生电路还包括与所述第一选通开关K1102-K(1101+n)一一对应的电平调整电路,各个所述电平调整电路与各自对应的所述第一选通开关的输入端连接;

各个所述电平调整电路,用于为各自对应的所述第一选通开关的输入端提供一个电压值恒定且可调的信号,且各个所述电平调整电路提供的信号的电压值各不相同。

8.根据权利要求7所述的采样时钟产生电路,其特征在于,各个所述电平调整电路均包括m个电阻R41-R(40+m)、m+1个第二选通开关K(41+m)-K(41+2*m)、以及寄存器IR,m≥2且m为整数,每个所述第二选通开关均包括输入端、输出端和控制端,m个所述电阻R41-R(41+m)串联在电源与地之间,每个串联的接点与一个所述第二选通开关的输入端连接,且各个所述串联的接点所连接的所述第二选通开关的输入端各不相同,各个所述第二选通开关的输出端分别与所述电平调整电路对应的所述第一选通开关的输入端连接,各个所述第二选通开关的控制端分别与所述寄存器IR连接。

9.根据权利要求1所述的采样时钟产生电路,其特征在于,所述非门类电路为反相器、与非门电路或者或非门电路。

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