[发明专利]一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板有效
申请号: | 201510106454.1 | 申请日: | 2015-03-11 |
公开(公告)号: | CN104635419B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 白金超;刘耀;刘晓伟;丁向前;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;H01L21/77;G03F1/60;G02F1/13 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 显示 面板 制备 方法 掩膜板 | ||
本发明提供一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板,所述掩膜板包括基板,所述基板包括非透光区域、部分透光区域和透光区域,所述非透光区域上设置有非透光材料层,所述部分透光区域上设置有部分透光材料层,所述透光区域不设置遮光材料,所述透光区域设置在所述部分透光区域内,或者所述非透光区域设置在所述部分透光区域内。本发明提供的掩膜板能够实现栅极掩膜板与过孔掩膜板共用,从而减少了掩膜板的使用数量,降低了产品开发和生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板。
背景技术
在TFT-LCD制造行业,阵列基板的制造过程需要进行4-7次曝光工艺,因此需要4-7块掩膜板(Mask),例如,常见的扭曲向列(Twisted Nematic,TN)模式的阵列基板需要栅极掩膜板(Gate Mask)、有源层掩膜板(Active Mask)、源漏极掩膜板(S/D Mask)、过孔掩膜板(Via Mask)、像素电极掩膜板(ITO Mask)共五块掩膜板。每块掩膜板价值100-200万人民币,因此仅一个产品在购买掩膜板上就需要花费大量资金,提高了产品开发和生产的成本。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板,用于解决现有技术中掩膜板导致的显示面板的生产成本过高的问题。
为解决上述问题,本发明提供一种掩膜板,包括基板,所述基板包括非透光区域、部分透光区域和透光区域,所述非透光区域上设置有非透光材料层,所述部分透光区域上设置有部分透光材料层,所述透光区域不设置遮光材料,所述透光区域设置在所述部分透光区域内,或者所述非透光区域设置在所述部分透光区域内。
可选的,当所述透光区域设置在所述部分透光区域内时,所述透光区域和部分透光区域用于形成栅线、栅极和公共电极线,所述透光区域还用于形成第一过孔和第二过孔;或者
当所述非透光区域设置在所述部分透光区域内时,所述非透光区域和部分透光区域用于形成栅线、栅极和公共电极线,所述非透光区域还用于形成第一过孔和第二过孔。
可选的,所述非透光材料层的构成材料包括金属材料,所述部分透光材料层的构成材料包括金属氧化物或者树脂。
可选的,所述金属材料包括金属铬,所述金属氧化物包括氧化铬。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括:
在基板上形成栅金属薄膜;
采用掩膜板通过构图工艺形成栅线和栅极,所述掩膜板包括上述任一掩膜板;
依次形成栅绝缘层、有源层薄膜和源漏金属薄膜;
通过构图工艺形成有源层、源极和漏极;
形成钝化层,采用所述掩膜板通过构图工艺在所述钝化层对应所述漏极区域形成第一过孔,
形成透明导电薄膜;
通过构图工艺形成像素电极,所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
可选的,所述采用掩膜板通过构图工艺形成栅线和栅极的同时,形成公共电极线;
所述采用所述掩膜板通过构图工艺在所述钝化层对应所述漏极区域形成第一过孔的同时,在所述栅绝缘层和钝化层对应所述公共电极线区域形成第二过孔;
所述通过构图工艺形成像素电极的同时,形成公共电极,所述公共电极通过所述第二过孔与所述公共电极线连接。
可选的,所述采用掩膜板通过构图工艺形成栅线和栅极的同时,形成公共电极线的步骤包括:
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