[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201510106509.9 | 申请日: | 2015-03-11 |
公开(公告)号: | CN104637958A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;先建波;李文波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;H01L29/786;H01L29/423;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其包括交叉设置的多条栅线和多条数据线,以及由相邻栅线和相邻数据线限定的像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,其特征在于,每条数据线包括多个数据线线段,每一数据线线段对应一个像素单元,且同一数据线的两相邻的数据线线段通过连接部连接;所述栅线的延伸方向与所述数据线线段的延伸方向的夹角为α,其中,60°≤α≤87°;所述薄膜晶体管的栅极为栅线的凸起结构,所述凸起结构的靠近所述像素电极的一侧边的延伸方向与所述栅线的延伸方向的夹角为β,其中,20°≤β≤70°。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,70°≤α≤85°,30°≤β≤50°。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极为板状电极,其包括第一边、第二边、第三边、第四边、第五边;其中,所述第一边和所述第二边平行于所述栅线的延伸方向;所述第三边和所述第四边平行于所述数据线线段的延伸方向;所述第五边平行于所述凸起结构的靠近所述像素电极的一侧边的延伸方向。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括公共电极,所述公共电极设置于所述像素电极上方,且与所述像素电极绝缘;所述公共电极具有狭缝,所述狭缝的延伸方向平行于所述数据线线段的延伸方向。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极为所述连接部,或者为所述连接部的部分结构。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,同一条数据线的对应不同像素单元的所述数据线线段的延伸方向相互平行。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部的形状为曲线线段。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线的凸起结构的另一侧边位于所述凸起结构作为栅极的所述薄膜晶体管所在所述像素单元的外侧。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线的凸起结构的顶边与所述凸起结构作为栅极的所述薄膜晶体管所在所述像素单元对应的数据线线段交叠。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极通过钝化层过孔连接或直接搭接。
11.一种显示装置,所述显示装置包括阵列基板和与该阵列基板对盒设置的对盒基板,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1-10任意一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;,未经京东方科技集团股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510106509.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制造方法
- 下一篇:一种阵列基板及其制作方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的