[发明专利]加工方法

说明书

本发明提供一种加工方法，能够适当加工包含金属的被加工物的基于简单工序。加工方法利用具有磨削磨石(40b)或研磨垫的加工单元(32)来加工至少在被加工面(11a)上包含金属的被加工物(11)，该方法构成为包括加工步骤，在该加工步骤中，对被加工物的被加工面供给加工液(50)，并且通过加工单元对被加工物进行磨削或研磨，加工液含氧化剂和有机酸。

技术领域

本发明涉及加工包含金属的被加工物的加工方法。

背景技术

近些年来，基于晶片的状态进行封装的WL-CSP(Wafer Level Chip SizePackage：晶圆级芯片尺寸封装)受到关注。在WL-CSP中，在形成于晶片上的器件的正面侧设置重布线层和金属柱(电极)并用树脂等密封，通过切削等方法分割密封后的晶片(WL-CSP基板)。该WL-CSP的特征在于，所分割的芯片大小即为封装的大小，因此有利于实现小型化。

另外，具有延性的金属等材料在被施加应力时会被塑性拉伸延展，因此通过磨削和研磨等方法无法容易地进行加工。因此，例如在使包含金属的WL-CSP基板等被加工物的密封层侧变薄的情况下，需要通过磨削等方法削去密封层等，然后通过刀具切削等其他方法加工金属(例如，参照专利文献1)。

专利文献1日本特开2013-8898号公报

然而，如果如上所述组合不同的多种方法，则工序会变得繁琐且制造成本变高。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种能够适当加工包含金属的被加工物的基于简单工序的加工方法。

本发明提供一种加工方法，利用具有磨削磨石或研磨垫的加工单元来加工至少在被加工面上包含金属的被加工物，其特征在于，该加工方法具有加工步骤，在该加工步骤中，在被加工物的被加工面上供给加工液，并且利用该加工单元对被加工物进行磨削或研磨，该加工液含氧化剂和有机酸。

此外，本发明优选构成为该加工液还含防蚀剂。

在本发明的加工方法中，通过供给包含有机酸和氧化剂的加工液，能够将被加工面所含的金属改质并抑制延性，并且能够磨削或研磨被加工物。因此，能够通过简单工序适当加工包含金属的被加工物。

附图说明

图1是示意性表示在本实施方式的加工方法中使用的磨削装置(加工装置)的结构例的立体图。

图2是示意性表示加工步骤的立体图。

标号说明

2：磨削装置(加工装置)；4：基座；4a、4b：开口；6：支撑壁；8：搬运机构；10a、10b：盒；12：定位机构；14：搬入机构；16：X轴移动台；18：防水罩；20：卡盘台；22：Z轴移动机构；24：Z轴导轨；26：Z轴移动台；28：Z轴滚珠丝杠；30：Z轴脉冲电动机；32：磨削机构(加工单元)；34：主轴套；36：主轴；38：轮安装器；40：磨削轮；40a：轮基座；40b：磨削磨石；42：喷嘴；44：搬出机构；46：清洗机构；48：操作面板；50：加工液；11：被加工物；11a：正面(被加工面)；13：保护部件。

具体实施方式

参照附图，说明本发明的实施方式。另外，在本实施方式中，说明通过具有磨削用的磨石(磨削磨石)的磨削机构(加工单元)磨削板状的被加工物的加工方法，然而本发明的加工方法不限于此。例如，还可以将本发明的加工方法应用于通过具有研磨用垫(研磨垫)的研磨机构(加工单元)研磨板状的被加工物的情况等。

首先，说明在本实施方式的加工方法中使用的磨削装置(加工装置)的结构例。图1是示意性表示本实施方式的磨削装置的结构例的立体图。如图1所示，本实施方式的磨削装置(加工装置)2具有用于搭载各种结构的长方体状的基座4。在基座4的后端竖立设置有向上方延伸的支撑壁6。