[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，其特征在于，所述方法还包括：

在钝化层上沉积一层透明导电层，通过构图工艺制作若干过孔，所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线；

在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域，所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区；

对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩模板或灰色调掩模板。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀，形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线，具体包括：

通过第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区的透明导电层和金属层；

去除光刻胶部分保留区的光刻胶；

通过第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区的金属层，形成阵列基板显示区的公共电极；

去除光刻胶完全保留区的光刻胶，形成阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过灰化处理的方法去除光刻胶部分保留区的光刻胶。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过剥离的方法去除光刻胶完全保留区的光刻胶。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌的单层膜，或为氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为钼。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层，具体包括：

在衬底基板上通过构图工艺制作栅极；

在所述栅极上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作半导体有源层；

在所述半导体有源层上通过构图工艺制作像素电极；

在所述像素电极上通过构图工艺制作源极和漏极；

在所述源极和漏极上通过构图工艺制作钝化层。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为采用权利要求1-8任一权项所述方法制作得到的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。