[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510106561.4 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105280592A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 朴津佑;朴成秀;金培用 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
芯片主体，所述芯片主体具有不平坦表面，所述不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；
贯通电极，所述贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过所述芯片主体的所述不平坦表面露出的端部；预定的
钝化层，所述钝化层设置在所述芯片主体的所述不平坦表面上；以及
凸块，所述凸块设置在所述钝化层以及所述贯通电极的露出的端部上，并且与所述芯片主体的所述不平坦表面交叠。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件进一步包括设置在所述芯片主体的与所述不平坦表面相反的表面上的有源层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述芯片主体的所述不平坦表面包括：
第一区域以及第三区域，所述第一区域以及所述第三区域设置在第一高度；以及
第二区域，所述第二区域以低于所述第一高度的第二高度而被设置在所述第一区域和所述第三区域之间。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二区域由距所述第一高度具有预定的深度的沟槽所限定。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述贯通电极的所述露出的端部位于所述第一区域的中央部分。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述贯通电极的所述露出的端部与所述第二区域的内侧间隔开预定的距离。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述凸块与所述第一区域的整个表面、所述第二区域的整个表面、以及所述第三区域的与所述第二区域相邻的部分交叠。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述凸块被设置在所述钝化层的被置于所述第二区域中的部分的内侧壁、外侧壁以及底表面之上。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述芯片主体的所述不平坦表面包括：
第一区域以及第三区域，所述第一区域以及所述第三区域设置在第一高度；以及
第二区域，所述第二区域以高于所述第一高度的第二水平高度而被设置在所述第一区域和所述第三区域之间。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二区域由距所述第一高度具有预定的高度的突出部所限定。
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