[发明专利]传感器封装件及制造该传感器封装件的方法

权利要求书

1.一种传感器封装件，包括：

基座，包括设置在形成在所述基座的内部空间中的质量体，并具有至少一个电极形成在其上的一个表面；

上盖，结合到所述基座的所述表面，以封闭设置了质量体的所述空间；

结合构件，由聚合物材料形成并将所述基座和所述上盖彼此结合。

2.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，所述上盖结合到所述基座，使电极暴露到外部，上盖的与电极相邻的第一侧表面包括具有不同倾斜角度的多个倾斜表面。

3.如权利要求2所述的传感器封装件，其中，所述上盖的第一侧表面向下延伸，以更临近所述电极。

4.如权利要求2所述的传感器封装件，其中，所述上盖的第一侧表面包括：第一倾斜表面，形成为与上盖的上表面垂直；第二倾斜表面，从所述第一倾斜表面的下端朝向电极向下延伸。

5.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，所述基座具有形成在所述基座的所述表面上的布线图案，所述结合构件结合到所述布线图案上。

6.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，所述结合构件由环氧树脂、丙烯酸树脂、聚羟基苯乙烯(PHS)、硅树脂和酚树脂中的任意一种形成。

7.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，所述基座和所述上盖由半导体基板形成。

8.一种传感器封装件，包括：

基座，包括设置在形成在所述基座的内部空间中的质量体，并且具有至少一个电极和布线图案形成在其上的一个表面；

上盖，结合到所述基座的所述表面，以封闭设置了质量体的空间；

结合构件，将所述基座和所述上盖彼此结合并使所述基座和所述上盖彼此绝缘。

9.一种制造传感器封装件的方法，所述方法包括：

制备基座，所述基座包括设置在形成在所述基座的内部空间中的质量体，并具有至少一个电极和布线图案形成在其上的一个表面；

在半导体工艺中利用聚合物材料在所述基座的所述表面上形成结合构件；

将上盖结合到所述结合构件。

10.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括：部分地去除所述上盖，以将电极暴露到外部。

11.如权利要求10所述的方法，其中，将电极暴露的步骤包括：

在上盖的上表面的除了形成在电极上的刻蚀区域之外的其余区域上形成掩膜层；

去除所述刻蚀区域。

12.如权利要求11所述的方法，其中，去除刻蚀区域的步骤包括：

利用湿法刻蚀方法初次刻蚀所述刻蚀区域，以部分地去除所述刻蚀区域；

利用干法刻蚀方法二次刻蚀剩余的刻蚀区域，以去除所剩余的刻蚀区域。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述初次刻蚀是在电极未被暴露的范围内去除所述刻蚀区域。

14.如权利要求9所述的方法，其中，制备基座的步骤是制备形成了多个基座的晶片，结合上盖的步骤是将形成了多个上盖的晶片结合到形成了基座的晶片。

15.如权利要求14所述的方法，其中，连续设置在所述晶片上的两个基座被设置为相对于彼此水平地对称。

16.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：在结合上盖之后：

将电极暴露到外部；

切割晶片。

17.如权利要求9所述的方法，其中，通过微机电系统(MEMS)工艺制造所述传感器封装件。

18.如权利要求9所述的方法，其中，在200℃或更低的温度下执行所述形成结合构件的步骤以及结合上盖的步骤。

19.一种制造传感器封装件的方法，所述方法包括：

制备基座，所述基座包括设置在形成在所述基座的内部空间中的质量体并具有至少一个电极和布线图案形成在其上的一个表面；

将上盖结合到所述基座的所述表面；

通过湿法刻蚀方法部分地刻蚀上盖的刻蚀区域；

通过干法刻蚀方法刻蚀所述刻蚀区域的剩余部分，以将电极暴露到外部。