[发明专利]直接转换X射线辐射检测器、计算机断层成像系统和方法

权利要求书

1.一种用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射检测器(C3，C5)，其至少具有：

1.1.用于检测X射线辐射的半导体(1)，所述半导体具有相对于X射线辐射被遮蔽的区域和未被遮蔽的区域，

1.2.安置在所述半导体(1)上的像素化的电极和与所述像素化的电极相对地安置在所述半导体(1)上的连续电极(4)，和

1.3.至少一个光源，所述光源以附加的光辐射辐照连续电极，以用于生成附加的载流子，

其特征在于，

1.4.所述至少一个光源被布置成，以附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域，

1.5应用于被遮蔽的区域的光辐射的强度大于应用于未被遮蔽的区域的光辐射的强度。

2.根据上述权利要求1所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，被遮蔽的区域的以附加的光辐射的辐照和未被遮蔽的区域的辐照分别是均匀的。

3.根据上述权利要求1所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，被遮蔽的区域的辐照和未被遮蔽的区域的辐照分别是不均匀的。

4.根据上述权利要求1或2中任一项所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，设置散射栅，用于降低散射的X射线辐射到半导体(1)上的入射，从而通过散射栅进行半导体(1)的遮蔽。

5.根据上述权利要求1-3中任一项所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述连续电极(4)是不同程度地透明的。

6.根据上述权利要求1-3中任一项所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述连续电极(4)至少部分地是半透明的。

7.根据上述权利要求5所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述连续电极(4)至少部分地具有印刷层(6)。

8.根据上述权利要求5所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述连续电极(4)至少部分地具有不透光的印刷层(6)。

9.根据上述权利要求1至3中任一项所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述像素化的电极具有大量的子像素(2)，其中，分别一组子像素(2)被连接成一个用于检测的、计数的未被遮蔽的图像像素(3)，并且另外的未用于检测的、非计数的被遮蔽的子像素(2)彼此电连接。

10.根据上述权利要求9所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，计数的图像像素(3)的遮蔽大于非计数的子像素(2)的遮蔽。

11.根据上述权利要求1至3中任一项所述的X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，附加的光辐射具有在红外线和/或可见光范围内的波长。

12.一种CT系统(C1)，具有根据上述权利要求1至10中任一项所述的直接转换的X射线辐射检测器(C3，C5)。

13.一种借助在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射检测器(C3，C5)来检测入射的X射线辐射的方法，所述X射线辐射检测器至少具有安置在半导体(1)上的像素化的电极和与像素化的电极相对地安置在所述半导体(1)上的连续电极(4)，其中，所述半导体(1)具有相对于X射线辐射被遮蔽的区域和未被遮蔽的区域，X射线辐射检测器具有至少一个光源，所述光源以附加的光辐射辐照连续电极，以用于生成附加的载流子，

其特征在于，以附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域，

应用于被遮蔽的区域的光辐射的强度大于应用于未被遮蔽的区域的光辐射的强度。