[发明专利]湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201510107896.8 | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN104681471B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 薛大鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 设备 | ||
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,所述湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能,其包括:
刻蚀腔,其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀,在其前端具有刻蚀腔入口,在其后端具有刻蚀腔出口;
喷淋管,设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方,该喷淋管可朝向上方喷射液体,以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶;
相邻腔,连接于所述刻蚀腔的前端或后端;
遮蔽门,为翻折类型的遮蔽门,通过一转轴安装于刻蚀腔入口或刻蚀腔出口,其在基片通过时打开,在其他时间关闭;
其中,所述喷淋管设置于处于打开状态的遮蔽门的下方,以清洗在遮蔽门上形成的刻蚀液结晶,所述喷淋管向上喷射液体的高度与处于打开状态的遮蔽门平齐;
其中,所述喷淋管喷射的液体为碱性溶液;
所述湿法刻蚀设备还包括:供液管路,用于为所述喷淋管供给液体;阀门,设置于所述供液管路与所述喷淋管之间,用于调节供液管路内液体的压力,进而控制喷淋管喷射液体的高度;
其中,在闭合状态下,所述遮蔽门与基片行进的方向垂直,相邻腔与刻蚀腔之间的刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口关闭;在打开状态下,所述遮蔽门朝向相邻腔的方向翻折90°,相邻腔与刻蚀腔之间的刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口打开。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于:
所述喷淋管始终向向上喷射液体;或
所述遮蔽门处于打开状态时,所述喷淋管向上喷射液体,所述遮蔽门处于闭合状态时,所述喷淋管停止向上方喷射液体。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述喷淋管包括:
喷淋管本体;以及
多组细孔,分布于所述喷淋管本体上且方向朝向上方的遮蔽门。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述细孔的孔径介于2mm~5mm之间。
5.根据权利要求1或2所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:两个所述的相邻腔和两个所述的喷淋管;其中:
两个相邻腔为前缓冲腔和后缓冲腔,分别通过前遮蔽门和后遮蔽门与所述刻蚀腔相连通;
两个喷淋管包括:前喷淋管,安装于所述前缓冲腔内,所述前遮蔽门的下方;后喷淋管,安装于所述后缓冲腔内,所述后遮蔽门的下方。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀液为草酸溶液、HNO3溶液、CH3COOH溶液或H3PO4溶液。
7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述供液管路与所述喷淋管之间设置有泵,该泵的控制信号与所述遮蔽门的控制信号一致:
遮蔽门打开时,泵同时打开,所述供液管路开始向喷淋管供给液体;
遮蔽门关闭时,泵同时关闭,所述供液管路停止向喷淋管供给液体。
8.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述供液管路连接至水箱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造