[发明专利]增光穿透膜及含增光穿透膜的太阳能电池组件无效
申请号: | 201510108389.6 | 申请日: | 2011-05-10 |
公开(公告)号: | CN104659119A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 徐聪敏;孙郁明;杨崇华;石一中;胡瑞楷 | 申请(专利权)人: | 长兴化学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;马雯雯 |
地址: | 中国台湾高雄县路竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增光 穿透 太阳能电池 组件 | ||
1.一种增光穿透膜,其特征在于其包含一基材及位于所述基材上的涂层,其中所述涂层包含多个有机颗粒与接合剂,所述有机颗粒具有小于1.5的折射率,且所述有机颗粒与接合剂的折射率比介于0.95至1.05间,所述有机颗粒的含量以每100重量份接合剂固形份计为60至200重量份。
2.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述有机颗粒具有介于0.5微米至30微米间的平均粒径。
3.如权利要求2所述的增光穿透膜,其特征在于所述有机颗粒具有介于0.5微米至5微米间的平均粒径。
4.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述有机颗粒的含量以每100重量份接合剂固形份计<150重量份时,所述涂层的厚度大于20微米;所述有机颗粒的含量以每100重量份接合剂固形份计≥150重量份时,所述涂层的厚度≤20微米。
5.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述涂层位于所述基材的入光面或出光面。
6.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述增光穿透膜以移印、热压、转印、射出或双轴拉伸方法制得;或
所述增光穿透膜以在基材上进行涂布、喷涂或雾化方法制得。
7.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述增光穿透膜是将含有有机颗粒和接合剂的涂料组合物涂布于基材上制得。
8.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述基材为玻璃或塑料基材。
9.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述有机颗粒选自聚丙烯酸酯树脂、聚甲基丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂及其混合物所组成的群组。
10.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于所述接合剂选自聚丙烯酸酯树脂、聚甲基丙烯酸树脂、硅酮树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂、氟素树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂、聚酯树脂及其混合物所组成的群组。
11.如权利要求1所述的增光穿透膜,其特征在于其具有根据ASTM E903-96标准方法测得大于93%的全光线透过率及根据JIS K7136标准方法测得小于40%的平行光穿透率。
12.一种包含如权利要求1至11中任一所述的增光穿透膜的太阳能电池组件。
13.如权利要求12所述的太阳能电池组件,其特征在于包括增光穿透膜、密封材层和背板,所述增光穿透膜的涂层朝向或背向所述密封材层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的