[发明专利]膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器

权利要求书

1.一种膜厚测定值的补正方法，其是在对研磨对象物进行研磨的研磨工序的过程中，对从用于测定研磨对象物的膜厚的传感器输出的信号进行补正的方法，该膜厚测定值的补正方法的特征在于，

所述研磨工序包含：所述传感器与所述研磨对象物不相对的第一状态；及所述传感器与所述研磨对象物相对的第二状态；

所述研磨工序通过一边使贴合有用于研磨研磨对象物的研磨垫的研磨台旋转，一边将所述研磨对象物按压于所述研磨垫，来研磨所述研磨对象物，

所述传感器设置于所述研磨台，

取得在所述第一状态下从所述传感器输出的第一测定信号，

基于取得的所述第一测定信号、与对所述第一测定信号预先设定的基准信号，算出补正值，

取得在所述第二状态下从所述传感器输出的第二测定信号，

在进行所述研磨工序的过程中，基于算出的所述补正值，对取得的所述第二测定信号进行补正。

2.如权利要求1所述的膜厚测定值的补正方法，其特征在于，

所述基准信号是在未进行所述研磨工序时，在所述传感器与所述研磨对象物不相对的状态下从所述传感器输出的信号。

3.如权利要求1所述的膜厚测定值的补正方法，其特征在于，

所述第一状态与所述第二状态随所述研磨台的旋转交替出现，

补正所述第二测定信号的工序基于补正值对在所述第二状态下取得的第二测定信号进行补正，所述补正值基于就在该第二状态之前出现的第一状态下所取得的第一测定信号与所述基准信号而算出。

4.如权利要求1所述的膜厚测定值的补正方法，其特征在于，

所述基准信号是在进行所述传感器的校准时，在所述传感器与所述研磨对象物不相对的状态下从所述传感器输出的信号。

5.如权利要求1所述的膜厚测定值的补正方法，其特征在于，

所述基准信号是以未进行所述研磨工序时的环境温度，在所述传感器与所述研磨对象物不相对的状态下从所述传感器输出的信号。

6.如权利要求1所述的膜厚测定值的补正方法，其特征在于，

所述传感器是涡流传感器。

7.一种膜厚补正器，其是在对研磨对象物进行研磨的研磨工序的过程中，对从用于测定研磨对象物的膜厚的传感器输出的信号进行补正的膜厚补正器，其特征在于，

所述研磨工序包含：所述传感器与所述研磨对象物不相对的第一状态；及所述传感器与所述研磨对象物相对的第二状态，

所述膜厚补正器具备：

取得部，其取得在所述第一状态下从所述传感器输出的第一测定信号、及在所述第二状态下从所述传感器输出的第二测定信号；

算出部，其基于通过所述取得部所取得的第一测定信号、与对所述第一测定信号预先设定的基准信号，算出补正值；及

补正部，其在进行所述研磨工序的过程中，基于由所述算出部所算出的补正值来补正由所述取得部所取得的第二测定信号。

8.一种涡流传感器，其用于测定与测定对象物的距离或所述测定对象物的膜厚，其特征在于，具备：

传感器线圈，其使所述测定对象物产生涡电流，并检测因所述涡电流的产生造成的感应磁场；及

导电体，其配置于所述传感器线圈的所述测定对象物侧。

9.如权利要求8所述的涡流传感器，其特征在于，

所述导电体具备与所述传感器线圈相对的相对部。

10.如权利要求9所述的涡流传感器，其特征在于，

所述导电体进一步具备外周部，所述外周部连接于所述相对部，且覆盖所述传感器线圈的至少一部分的周围。

11.如权利要求8所述的涡流传感器，其特征在于，

所述导电体形成为盖住所述传感器线圈的帽状。