[发明专利]一种TiC弥散强化钼合金及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510109535.7 申请日: 2015-03-13
公开(公告)号: CN104651696A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 刘均波;王立梅;刘均海;宋桂香 申请(专利权)人: 潍坊学院
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C1/05
代理公司: 潍坊鸢都专利事务所 37215 代理人: 臧传进
地址: 261061 山东省潍*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 tic 弥散 强化 合金 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及材料领域,具体涉及一种TiC 弥散强化钼合金及其制备方法。

背景技术

以钼为基体加入其他元素而构成的有色合金,主要合金元素有钛、锆、铪、钨及稀土元素。钼合金有良好的导热、导电性和低的膨胀系数,在高温下(1100~1650℃)有高的强度,比钨容易加工。可用作电子管的栅极和阳极,电光源的支撑材料,以及用于制作压铸和挤压模具,航天器的零部件等。另外,钼在常温下稳定,高于600℃时会迅速氧化,与碳、碳氢化合物或一氧化碳在高于800℃时反应生成碳化钼,碳化钼具有较高熔点和硬度、良好热稳定性和机械稳定性和极好抗腐蚀性等特点。工业生产的钼合金有钼钛锆系、钼钨系和钼稀土系合金,应用较多的是第一类。钼合金的主要强化途径是固溶强化、沉淀强化和加工硬化。通过塑性加工可制得钼合金板材、带材、箔材、管材、棒材、线材和型材,还能提高其强度和改善低温塑性。由于钼合金有低温脆性和焊接脆性,且高温易氧化,限制了其使用范围的进一步扩大;另一方面,随着半导体业、军事等领域的科技进步,对钼产品的性能、成分等提出越来越高的要求。因此其发展受到限制。

目前应用最多的有TZM(Mo-0.5%Ti-0.008%Zr)和TZC(Mo-1.25%Ti-0.15%Zr-0.15%C)、Mo-la 合金和Mo-TiC 合金。TZM 合金适宜的再结晶温度为(1300-1450)℃,温度超过1500℃,由于加工组织发生再结晶,导致材料强度急剧下降,材料脆性提高。Mo-la 合金虽然具有很高的再结晶温度(1500-1700℃),但高温下材料强度降低。经研究发现,TiC 弥散强化钼合金(Mo-TiC) 与TZM 合金、Mo-La 合金相比,具有更高的再结晶温度,更高的高温强度和抗蠕变性能。

Mo-TiC 合金以往直接将TiC 粉末加入钼粉中,混合一段时间后,进行压制烧结,制备成烧结坯料。虽然高温下,大部分TiC 会溶解进入钼基体中,但是TiC 中存在部分钛的氧化物,并且TiC 在加热烧结过程中,部分TiC 与气氛中的水蒸气反应生成TiO2 或者Ti 的其他氧化物,而Ti 的氧化物的强化效果远远低于TiC 的强化效果,并且,由于TiC 在钼基体中分布不均匀,溶解过程过于漫长,实际生产中无法实施,会导致存在部分TiC 无法溶解。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种强化相分布均匀,颗粒细小,具有较高的抗拉强度和延伸率的TiC弥散强化钼合金。

本发明要解决的另一个技术问题是提供该TiC弥散强化钼合金的制备方法。

为解决上述第一个技术问题,本发明主要由以下重量份的物质组成:钼粉10Kg,钛粉40~60g,碳化钼粉45~60g,石墨粉5~7g,将上述物料进行球磨混料,然后进行烘干、压制、烧结、挤压、拉伸工艺得到所需TiC 弥散强化钼合金。

为解决上述第二个技术问题,本发明包括以下步骤和工艺条件:

1) 称取钼粉10Kg,钛粉40~60g, 碳化钼粉45~60g,石墨粉5~7g;

2) 将钼粉、钛粉、石墨粉、碳化钼粉放入球磨桶中,加入1500~2500ml 无水乙醇,球磨混合0.5~10h ;

3)将球磨混合所得到的球磨溶液放置在烘干箱中,在30~80℃温度条件下干燥2~10h,使该溶液中的乙醇挥发干净,得到一合金粉末;

4) 所述合金粉末经200Mpa~300MPa 等静压压制,并于中频烧结炉烧结,在1700~1800℃温度条件下保温6~16h,随炉冷却得到一烧结坯;

5) 所述烧结坯在1550~1650℃温度条件下保温0.5~2h后,以挤压比为3.5∶1 进行挤压,得到一挤压棒料;

6) 所述挤压棒料随后在1200~1300℃温度条件下保温0.5~2h,然后退火;

7) 退火棒料在高温拉伸试验机上加热到1350~1450℃,保温0.3~0.6h,然后拉伸,得到TiC 弥散强化钼合金材料。

所述钼粉、钛粉、碳化钼粉、石墨粉的粒度在400~800目;所述TiC弥散强化钼合金材料的抗拉强度为150~165MPa,延伸率23~25.6%。

本发明的优点效果是:

在1700-1800℃温度范围内保温,MoC以Mo 和C 原子的形式完全溶解到所述钼基体中,石墨和钛粉也分别以C 原子和Ti原子的形式完全溶解到所述钼基体中。通过保温一段时间,利用原子的浓度梯度扩散,使Ti 和C 原子在所述钼基体中扩散,达到均匀分布。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潍坊学院;,未经潍坊学院;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510109535.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top