[发明专利]一种全波长局域等离子体谐振传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种全波长局域等离子体谐振传感器，其特征在于，所述的传感器为一种表面具有纳米锥体阵列结构的铝膜，所述的纳米锥体阵列的椎体为正方形的四角锥，锥体的顶部为凸四方形；所述的传感器拥有在全波长范围内同时存在的局域表面等离子体共振峰；所述的纳米锥体是由铝基底表面周期排列的平滑凹坑交错形成的，凹坑的周期为四方晶格，三角晶格或六角晶格，且与纳米锥体的周期相一致；所述的铝材如果暴露在有氧环境下会迅速被氧化，形成的致密氧化铝层。

2.根据权利要求1所述的全波长局域等离子体谐振传感器，其特征在于，所述的纳米锥体是周期排列的，可以是四方晶格，三角晶格或六角晶格。

3.一种全波长局域等离子体谐振传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.用表面有凸起的硅模板在平坦干净的铝膜表面均匀压印出纳米凹坑；

S2.将压印后的铝膜用作工作电极，连接在电化学工作站上进行阳极氧化；

S3.用酸混合溶液溶解清洗铝片表面的氧化铝，即可获得全波长局域等离子体谐振传感器。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S1所述的硅模板表面凸起是四方晶格，三角晶格或六角晶格排列的。

5.一种权利要求1或2所述的全波长局域等离子体谐振传感器的应用，其特征在于，所述的应用为表面增强荧光或表面增强拉曼散射。

6.一种权利要求1或2所述的全波长局域等离子体谐振传感器在折射率生物传感中的应用。