[发明专利]厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体

权利要求书

1.一种厚膜导体形成用组合物，其包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)以及有机载体(C)，其特征在于，氧化物粉末(A)包含SiO₂-ZnO-MgO-Al₂O₃类玻璃粉末(A1)和Al₂O₃粉末(A2)，

其中，玻璃粉末(A1)的组成比为SiO₂：15～35质量％、ZnO：15～35质量％、MgO：5～25质量％、Al₂O₃：5～20质量％的范围，

并且，相对于100质量份导电粉末(B)，氧化物粉末(A)的含量为：玻璃粉末(A1)为1.5～12质量份，Al₂O₃粉末(A2)为0.1～8质量份。

2.根据权利要求1所述的厚膜导体形成用组合物，其特征在于，玻璃粉末(A1)的平均粒径为1μm～10μm的范围。

3.根据权利要求1所述的厚膜导体形成用组合物，其特征在于，Al₂O₃粉末(A2)的平均粒径为0.1μm～3μm的范围。

4.根据权利要求1所述的厚膜导体形成用组合物，其特征在于，导电粉末(B)是从由Ag、Pd以及Pt构成的群组中选出的至少一种金属粉末。

5.一种厚膜导体，其通过涂布一层以上权利要求1～4中任一项所述的厚膜导体形成用组合物后进行焙烧而形成，其特征在于，在膜中均匀地析出并存在有粒径为0.1μm～3μm的颗粒状的MgAl₂O₄晶体(尖晶石)。

6.根据权利要求5所述的厚膜导体，其特征在于，所涂布的每一层的膜厚均为20μm以下。