[发明专利]GaIn比例渐变的W型锑基半导体激光器

权利要求书

1.一种Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，自下而上依次为GaSb衬底(1)、GaSb缓冲层(2)、P型GaSb接触层(3)、P型量子阱(4)、本征量子阱(5)、N型量子阱(6)和N型InAs接触层(7)，所述P型量子阱(4)、本征量子阱(5)和N型量子阱(6)具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱(8)夹GaInSb空穴量子阱(9)的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层(10)；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱(9)由3～9层Ga_1-xIn_xSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga_1-xIn_xSb层的x的值最大，两边的Ga_1-xIn_xSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga_1-xIn_xSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga_1-xIn_xSb层的x的值逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱(9)由3层Ga_1-xIn_xSb层构成，中间为17ML厚的Ga_0.8In_0.2Sb层，第1级为两个4ML厚的Ga_0.9In_0.1Sb层，Ga_1-xIn_xSb层的总厚度达到25ML。

3.根据权利要求1所述的Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱(9)由5层Ga_1-xIn_xSb层构成，中间为17ML厚Ga_0.75In_0.25Sb层，第1级为两个2ML厚的Ga_0.9In_0.1Sb层，第2级为两个2ML厚的Ga_0.95In_0.05Sb层，Ga_1-xIn_xSb层的总厚度达到25ML。

4.根据权利要求1所述的Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱(9)由9层Ga_1-xIn_xSb层构成，中间为17ML厚的Ga_0.65In_0.35Sb层，第1级为两个1ML厚的Ga_0.75In_0.25Sb层，第2级为两个1ML厚的Ga_0.85In_0.15Sb层，第3级为两个1ML厚的Ga_0.9In_0.1Sb层，第4级为两个1ML厚的Ga_0.95In_0.05Sb层，Ga_1-xIn_xSb层的总厚度达到25ML。