[发明专利]介电组合物和电子部件有效
| 申请号： | 201510111765.7 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104952617B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 政冈雷太郎;兼子俊彦;山下由贵;内山弘基;武田早织;瀬在勇司;大槻史朗 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电组合物 电子部件 高相对介电常数 薄膜化 非晶体 高耐受 介电膜 摩尔比 | ||
【权利要求书】：
1.一种介电组合物，其特征在于：
所述介电组合物以A组和B组作为主成分，A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分，B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr，
所述介电组合物包含：含有所述A组和所述B组的非晶体；和含有所述A组和所述B组的晶体，
所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
2.如权利要求1所述的介电组合物，其特征在于：
所述介电组合物在使用CuKα射线的X射线衍射图中，2θ在30°～32°的范围的峰的半峰宽为0.15°以上且0.50°以下。
3.如权利要求1或2所述的介电组合物，其特征在于：
所述B组中，将Ti相对于Zr的比例记为wmol％时，0<w≤60。
4.一种电子部件，其特征在于：
具有权利要求1～3中任一项所述的介电组合物。
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