[发明专利]半导体光调制装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有基于电信号对光信号进行调制的半导体光调制元件的半导体光调制装置，特别是涉及能够改善频率响应特性的半导体光调制装置。

背景技术

提出有一种半导体光调制装置，其构成为，阻抗较低的金属管座部的传输线路部与并联连接的半导体光调制元件和电阻连接，柔性基板与该传输线路部连接，在该半导体光调制装置中，为了抑制多重反射的影响并改善频率响应特性，在柔性基板的传输线路的一部分中附加与匹配阻抗相比低阻抗的线路(例如，参照专利文献1)。另外，为了改善频率响应特性，提出有将电阻以及电容的串联电路连接在柔性基板上的差动信号线路间(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2012－230176号公报

专利文献2：日本特开2005－286305号公报

但是，在专利文献1的半导体光调制装置中，能够充分地改善频率响应特性的频率仅为10GHz附近的高频的区域，而对于小于或等于5GHz的频率改善效果较小。另外，在专利文献2中，金属管座和半导体光元件的距离较近，在频带内的频率下不会发生半导体光元件和金属管座间的多重反射，因此与对多重反射的影响进行抑制的发明无关。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够在较宽的频率区域中充分地改善频率响应特性的半导体光调制装置。

本发明所涉及的半导体光调制装置，其特征在于具有：半导体光调制元件，其一端与基准电位连接；第1电阻，其与所述半导体光调制元件并联连接，一端与基准电位连接；第1传输线路，其一端与所述半导体光调制元件的另一端和所述第1电阻的另一端连接；第2传输线路，其与所述第1传输线路串联连接，一端与所述第1传输线路的另一端连接，具有与所述第1电阻相比低的阻抗；第3传输线路，其与所述第1以及第2传输线路串联连接，一端与所述第2传输线路的另一端连接，具有与所述第1传输线路相等的阻抗；以及第2电阻以及第1电容，它们串联连接在所述第3传输线路和基准电位之间。

发明的效果

在本发明中，在第1以及第3传输线路之间设置阻抗较低的第2传输线路，将第2电阻以及电容的串联电路与第3传输线路连接。该串联电路对由低阻抗的第2传输线路产生的群延迟特性偏差进行补偿。因此，能够在较宽的频率区域中充分地改善频率响应特性。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体光调制装置的电路图。

图2是表示产生了波动的通过特性的图。

图3是表示在产生了波动的情况下的群延迟特性的图。

图4是表示在产生了波动的情况下的光输出波形的图。

图5是表示电阻以及电容的串联电路的特性的图。

图6是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体光调制装置的通过特性的图。

图7是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体光调制装置的群延迟特性的图。

图8是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体光调制装置的光输出波形的图。

图9是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体光调制装置的变形例的电路图。

图10是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体光调制装置的俯视图。

图11是表示本发明的实施方式2所涉及的柔性基板的侧视图。

图12是表示本发明的实施方式4所涉及的半导体光调制装置的电路图。

图13是表示电阻以及电感器的串联电路的频率响应特性的图。

图14是表示在具有电阻以及电感器的串联电路、没有电阻以及电容的串联电路的情况下的群延迟特性的图。

图15是表示在具有电阻以及电感器的串联电路、没有电阻以及电容的串联电路的情况下的光输出波形的图。

图16是表示本发明的实施方式4所涉及的半导体光调制装置的频率响应特性的图。

图17是表示本发明的实施方式4所涉及的半导体光调制装置的光输出波形的图。

图18是表示本发明的实施方式4所涉及的半导体光调制装置的变形例的电路图。

图19是表示本发明的实施方式5所涉及的半导体光调制装置的俯视图。

标号的说明

1半导体光调制元件，2电阻(第1电阻)，3传输线路(第1传输线路)，4传输线路(第2传输线路)，5传输线路(第3传输线路)，6电阻(第2电阻)，7电容，10柔性基板，12电介质基板，15传输线路(第1传输线路)，16传输线路(第2传输线路)，17电阻(第3电阻)，18电感器

具体实施方式