[发明专利]移动设备中的从设备的连接性

权利要求书

1.一种用于移动设备的芯片集，包括：

从设备芯片；以及

接口电路芯片，包括用于通过模拟总线控制所述从设备芯片的从总线接口，所述模拟总线被配置为仅传送模拟信号，所述模拟总线将所述从设备芯片耦合到所述从总线接口，所述从总线接口经由所述移动设备的数字总线被耦合到主总线接口，所述数字总线将所述从总线接口耦合到所述主总线接口，所述从总线接口被配置为由所述主总线接口驱动；

其中所述从设备芯片被形成在以SiGe或GaAs技术实现的第一衬底上，并且所述接口电路芯片被形成在以Si技术实现的第二衬底上。

2.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述从设备芯片是具有模拟电路系统的模拟芯片。

3.根据权利要求2所述的芯片集，其中所述模拟电路系统包括一个或者多个异质结双极型晶体管。

4.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述接口电路芯片包括一个或者多个硅场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述从设备芯片是低噪声放大器芯片、功率放大器芯片、滤波器芯片、天线调谐器芯片、传感器芯片或者DC/DC转换器芯片。

6.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述从设备芯片包括一个或者多个低噪声放大器。

7.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述从总线接口被配置为使用MIPI RF前端(RFFE)控制接口协议与所述主总线接口通信。

8.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述第一衬底包括具有包括SiGe或者GaAs的区域的晶体管，并且其中所述第二衬底是包括互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑门的硅衬底。

9.根据权利要求1所述的芯片集，其中所述从设备芯片包括形成在所述第一衬底上的一个或者多个低噪声放大器，并且其中所述接口电路芯片被配置以在与所述第一衬底不同的所述第二衬底上实现用于所述从设备芯片的MIPI RF前端(RFFE)控制接口。

10.根据权利要求9所述的芯片集，其中所述接口电路芯片通过所述模拟总线被耦合到所述一个或者多个低噪声放大器中的每个低噪声放大器。

11.根据权利要求9所述的芯片集，其中所述从设备芯片通过GPIO接口总线被进一步耦合到所述接口电路芯片。

12.一种用于移动设备的接口电路芯片，包括：

从总线接口，用于控制从设备芯片；

数字输入，被耦合到所述从总线接口，所述数字输入被配置为经由所述移动设备的数字总线耦合到主总线接口，所述数字总线将所述从总线接口耦合到所述主总线接口；以及

模拟输出，被耦合到所述从总线接口，所述模拟输出被配置为通过模拟总线耦合到所述从设备芯片，所述模拟总线被配置为仅传送模拟信号，所述模拟总线将所述从设备芯片耦合到所述从总线接口，其中所述从总线接口被配置为将在所述数字输入处接收到的用于控制所述从设备芯片的数字控制信号转换为在所述模拟输出处的模拟信号；

其中所述从设备芯片被形成在以SiGe或GaAs技术实现的第一衬底上，并且所述接口电路芯片被形成在以Si技术实现的第二衬底上。

13.根据权利要求12所述的接口电路芯片，其中所述从总线接口是MIPI RF前端(RFFE)控制接口。

14.根据权利要求12所述的接口电路芯片，其中所述从设备芯片包括一个或者多个低噪声放大器LNA，并且其中所述数字控制信号包括所述一个或者多个低噪声放大器中的一个LNA的增益或者电流消耗。