[发明专利]可操作的氮化镓器件

权利要求书

1.一种电源电路，包括：

两个以上的输入端，每个输入端均直接耦合至源极，所述源极被配置用于为负载产生电能；

两个以上的输出端，每个输出端均直接耦合至所述负载；

半导体主体，所述半导体主体包括：

公共衬底；以及

基于氮化镓(GaN)的衬底，包括与所述公共衬底的正侧相邻的一个或多个氮化镓(GaN)器件，其中所述一个或多个GaN器件包括一个或多个负载端以及被配置为从一个或多个驱动器接收栅极控制信号的一个或多个栅极端子；以及

节点，电耦合至所述公共衬底的背侧，其中所述节点连接至恒定电位，所述恒定电位等于或小于所述电源电路的所述两个以上的输出端处的最低电位。

2.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述一个或多个负载端选自由以下组成的组中：

所述一个或多个GaN器件的一个或多个漏极端，

所述一个或多个GaN器件的一个或多个源极端，

所述一个或多个GaN器件的一个或多个阴极电极，以及

所述一个或多个GaN器件的一个或多个阳极电极。

3.根据权利要求1所述的电源电路，其中：

所述电源电路的所述两个以上的输出端处的所述最低电位是第一最低电位；以及

所述恒定电位等于或小于所述电源电路的所述两个以上的输出端处的所述第一最低电位以及所述电源电路的所述两个以上的输入端处的第二最低电位。

4.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述一个或多个GaN器件选自由以下组成的组中：

一个或多个GaN双向开关，

多个GaN二极管，以及

GaN双向开关和GaN二极管。

5.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述一个或多个GaN器件包括一个或多个GaN开关和一个或多个GaN二极管。

6.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述电源电路的所述节点是布置在所述公共衬底的所述正侧上的所述一个或多个氮化镓(GaN)器件中的至少一个的电极。

7.根据权利要求6所述的电源电路，其中所述一个或多个GaN器件中的至少一个的电极包括GaN二极管的阴极电极或GaN开关的源电极中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述半导体主体还包括：

一个或多个非氮化镓(非GaN)器件，布置在所述公共衬底的所述正侧上，其中所述电源电路的所述节点包括所述一个或多个非GaN器件中的至少一个的电极，以及其中所述一个或多个非GaN器件中的至少一个的电极包括非GaN二极管的阴极电极或非GaN开关的源电极中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述电源电路包括整流器或反相器中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述一个或多个GaN器件包括以半桥或H桥结构中的至少一个布置的一个或多个GaN开关和一个或多个GaN二极管。

11.根据权利要求1所述的电源电路，还包括至少一个附加器件，其中所述节点经由所述至少一个附加器件耦合至所述恒定电位，所述恒定电位等于或小于所述电源电路的所述两个以上的输出端处的最低电位。

12.根据权利要求11所述的电源电路，其中所述至少一个附加器件包括二极管。

13.根据权利要求11所述的电源电路，其中所述至少一个附加器件包括双向开关。