[发明专利]一种太阳能电池发射极掺杂分布方法

权利要求书

1.一种太阳能电池发射极掺杂分布方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）预氧化：将扩散炉温度升温至770~820℃，向扩散炉中通入大氮和氧气，对硅片表面进行预氧化，氧化时间为5~10min；其中，氧气占通入气体体积总量的5%~18%；

（2）第一次通源扩散：保持扩散炉温度770~820℃，向扩散炉中持续通入大氮、氧气以及小氮，对硅片进行第一次通源扩散，扩散时间为10~15min；其中，小氮占通入气体体积总量的10%~25%；

（3）第一次推结：将扩散炉温度升温至840~860℃，向扩散炉中持续通入大氮，对硅片进行第一次推结，推结时间为10min~20min；

（4）第二次通源扩散：将扩散炉温度降至770~820℃，向扩散炉中持续通入大氮、氧气和小氮，对硅片进行第二次通源扩散，扩散时间为10~20min，小氮占通入气体体积总量的10%~20%；

（5）第二次推结：保持扩散炉温度770~820℃，向扩散炉中持续通入大氮，对硅片进行第二次推结，推结时间为5~10min；

（6）降温出舟：将扩散炉温度降至750~770℃，继续向扩散炉中持续通入大氮，然后石英舟出扩散炉，取出硅片。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池发射极掺杂分布方法，其特征在于：步骤（1）中通入的氧气占气体体积总量优选的为7~11%。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池发射极掺杂分布方法，其特征在于：步骤（2）中通入的小氮占气体体积总量优选的为15%~18%。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池发射极掺杂分布方法，其特征在于：步骤（4）中通入的小氮占气体体积总量优选的为12%~15%。