[发明专利]一种大面积制作纳米图形的方法

权利要求书

1.一种大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：

    S10：取一模板;

S20：制作掩膜层：在模板上生长一层保护的掩膜层，掩膜层包括SiO2或SiNx;

S30：制作纳米图形层：利用电子束蒸发或离子束蒸发，在设有一层掩膜层的模板上镀上一层Ag、Ni或ITO纳米图形层;

S40：制作纳米掩膜层：利用纳米图形层保护对掩膜层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，在掩膜层上制得纳米掩膜图形;

S50：制作纳米图形：利用纳米图形层和纳米掩膜层保护对模板进行干法或湿法刻蚀，在模板上制作纳米图形;

S60：清洗：除去多余的纳米图形层和纳米掩膜层，得到表面具有纳米图形结构和纳米结构图层的模板。

2.根据权利要求1所述的大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，在所述步骤30和所述步骤40之间还包括步骤S35，利用高温退火炉对模板上的纳米图形层进行退火处理，使纳米图形层的图形的尺寸和形状均匀。

3.根据权利要求2所述的大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，所述步骤S35中，对所述纳米图形层进行退火处理是在空气环境中进行，退火高温范围为300～550℃。

4.根据权利要求2所述的大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，所述模板选用蓝宝石平片，在所述蓝宝石平片上大面积制作纳米图形的方法，对应的步骤为：

所述步骤S20中，在蓝宝石平片上使用含5%SiH4的SiH4/N2混合气和N2O气体利用等离子增强气相化学沉积沉积一层2000-5000nm的SiO2掩膜层；

所述步骤S30中，利用电子束蒸发一层纳米Ag结构图层，纳米结构图层尺寸为300-800nm的纳米Ag颗粒；

    所述步骤S35中，在空气气氛下退火温度为300-450℃的条件下，对纳米Ag颗粒进行退火，使得纳米Ag颗粒大小均匀；

    所述步骤S40中，利用BOE溶液，BOE溶液为浓度比为1：6的HF/NH4F混合溶液；在纳米Ag结构图层的保护下对SiO2掩膜层进行湿法腐蚀，得到具有纳米结构的SiO2掩膜层；

    所述步骤S50中，利用BCl3气体在纳米Ag结构图层和SiO2掩膜层的保护下，采用等离子刻蚀设备对蓝宝石进行刻蚀；

    所述步骤S60中，利用BOE溶液除去多余的纳米Ag结构图层和SiO2掩膜层即可得到具有纳米结构和纳米结构图层的蓝宝石衬底。

5.根据权利要求1或2所述的大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述模板的材料可为蓝宝石衬底、芯片、单晶硅或玻璃。

6.根据权利要求1或2所述的大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，所述步骤S20中，采用等离子增强气相化学沉积或电子束蒸镀的方法制备所述掩膜层。

7.根据权利要求1或2所述的大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，所述步骤S40中，所述掩膜层的腐蚀使用BOE溶液湿法腐蚀或使用CF4气体干法刻蚀。