[发明专利]一种TSV多层芯片键合方法

权利要求书

1.一种TSV多层芯片键合方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤1，通过临时键合胶将具备TSV及正面图形的第一晶圆的正面与支撑片进行临时键合，形成第一晶圆键合体；

步骤2，对第一晶圆键合体进行背面减薄，露出硅通孔，并完成背面工艺，形成背面键合凸点；

步骤3，对形成有背面键合凸点的第一晶圆键合体划片，正面保留支撑片，形成第一芯片；

步骤4，具备正面键合凸点的第二晶圆进行划片形成第二芯片；

步骤5，将第一芯片背面与第二芯片正面进行凸点键合，去除第一芯片上的支撑片，形成二层键合体；

步骤6，将重复步骤1-3形成的芯片依次按步骤5进行凸点键合，实现多层芯片的依次键合叠加，去除支撑片后，得到TSV多层芯片。

2.一种TSV多层芯片键合方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤1，通过临时键合胶将具备TSV及正面图形的第一晶圆的正面与支撑片进行临时键合，形成第一晶圆键合体；

步骤2，对第一晶圆键合体进行背面减薄，露出硅通孔，并完成背面工艺，形成背面键合凸点；

步骤3，对形成有背面键合凸点的第一晶圆键合体划片，正面保留支撑片，形成第一芯片；

步骤4，将重复步骤1-3形成多个芯片，两两芯片分别进行凸点键合后形成两侧均有支撑片的双层键合体；

步骤5，将多个芯片和/或多个去除了一侧支撑片的双层键合体，两两进行凸点键合后形成两侧均有支撑片的对应层数的键合体；

步骤6，重复步骤5，将所有待键合的芯片和键合体全部键合叠加后，去除两侧的支撑片，得到TSV多层芯片。

3.根据权利要求1或2所述的一种TSV多层芯片键合方法，其特征在于，所述的支撑片采用硅片或玻璃片。

4.根据权利要求1或2所述的一种TSV多层芯片键合方法，其特征在于，所述的临时键合胶采用高温解键合临时键合胶或UV解键合临时键合胶。