[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201510115608.3 | 申请日: | 2015-03-17 |
公开(公告)号: | CN104934307B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 小林健司;奥谷学 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,在基板处理装置中执行,该基板处理装置具有用于保持基板的基板保持单元和用于对所述基板从下方进行加热的加热板,其特征在于,
包括:
处理液供给工序,在所述加热板配置在从所述基板保持单元向下方退避的退避位置的状态下,向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液;
保护液液膜形成工序,与所述处理液供给工序并行地在所述加热板的上表面形成覆盖该上表面的保护液的液膜;
基板加热工序,一边使所述加热板与所述基板的下表面接近或接触,一边通过该加热板对所述基板进行加热。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述保护液液膜形成工序包括向所述加热板的上表面连续地供给保护液的工序。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述保护液液膜形成工序包括从在所述加热板的上表面上形成的保护液喷出口喷出保护液的工序。
4.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述处理液供给工序包括:
向所述基板的上表面供给药液或冲洗液的工序,
有机溶剂供给工序,向所述基板的上表面供给有机溶剂,以将所述基板的上表面上的药液或冲洗液置换为有机溶剂的液膜;
在所述基板加热工序中,通过所述有机溶剂供给工序形成在所述基板的上表面上的所述有机溶剂的液膜,在所述基板的上表面被加热。
5.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,用于将基板保持为水平姿势;
处理液供给单元,向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液;
加热板,用于在所述加热板与所述基板的下表面接近或接触的状态下,对所述基板从下方进行加热;
保护液供给单元,与通过所述处理液供给单元供给所述处理液并行地,向所述加热板的上表面供给保护液,以在所述加热板的上表面上形成保护液的液膜。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热板具有:
保护液喷出口,在该加热板的上表面上开口,
保护液流通路径,与该保护液喷出口相连通,用于使向所述保护液喷出口供给的保护液流通,
保护液配管,用于划分形成所述保护液喷出口和所述保护液流通路径,并固定地设置在所述加热板上,
堵塞构件,能够在所述保护液流通路径进行上下移动,且能够对所述保护液喷出口进行堵塞,
在未从所述保护液喷出口喷出保护液时,所述堵塞构件配置在对所述保护液喷出口进行堵塞的堵塞位置,且在从所述保护液喷出口喷出保护液时,所述堵塞构件配置在比所述加热板的上表面靠上方的浮起位置,
在所述堵塞构件位于所述浮起位置的状态下,所述堵塞构件将从所述保护液喷出口喷出的保护液向所述加热板的外周部引导。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述堵塞构件能够在所述保护液流通路径自由地进行上下移动,
所述堵塞构件受到来自在所述保护液流通路径流通的保护液的压力,而配置在所述浮起位置。
8.如权利要求6或7所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述堵塞构件位于所述堵塞位置时,该堵塞构件的上表面与所述加热板的所述上表面位于同一平面上,或从所述加热板的上表面向下方退避。
9.如权利要求5或6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理液供给单元具有:
第一处理液供给单元,将含有药液或冲洗液的第一处理液向所述基板供给,
第二处理液供给单元,将含有有机溶剂的第二处理液向所述基板供给,以在所述基板的上表面上形成该第二处理液的液膜;
所述加热板在所述第二处理液的液膜形成在所述基板的上表面上的状态下,对所述基板进行加热。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510115608.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造