[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

半导体基板；

导电型区域，所述导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域；

电极，所述电极包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域；以及

钝化层，所述钝化层形成在所述导电型区域上，

其中，所述钝化层包括：

第一层，所述第一层形成在所述导电型区域上并且包括氮化硅；

第二层，所述第二层形成在所述第一层上并且包括碳化硅；以及

绝缘层，所述绝缘层形成在与所述半导体基板的所述一个表面不同的另一个表面上，其中，所述绝缘层包括氮化硅并且具有比所述钝化层的折射率更小的折射率，

其中，所述第二层具有非晶结构，并且所述第二层是疏水的，

其中，所述第一层的折射率大于所述第二层的折射率，

其中，所述第一层的厚度大于所述第二层的厚度，

其中，所述电极包括：

粘合层，所述粘合层接触所述导电型区域并且是导电的；以及

电极层，所述电极层形成在所述粘合层上，

其中，所述粘合层具有所述第一导电型区域和所述第二导电型区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间的热膨胀系数，

其中，所述钝化层包括与所述电极相对应的开口，并且所述电极形成在所述开口的底面上、形成在所述钝化层的与所述开口相邻的侧表面上、并且形成在与所述开口相邻的所述钝化层上，

其中，所述粘合层接触所述开口的底面、接触所述钝化层的与所述开口相邻的所述侧表面、并且接触与所述开口相邻的所述钝化层，并且

其中，在所述第一电极的所述电极层的侧表面处形成有底切。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一层具有2.1至2.2的折射率。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二层具有1.5至2.0的折射率。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二层:所述第一层的比是1:1至1:4，或者

所述第一层具有50nm至200nm的厚度并且所述第二层具有10nm至50nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电极还包括：

带状物连接层，所述带状物连接层形成在所述电极层上。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述粘合层包括具有透明性的金属。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述电极层的至少一部分的宽度小于所述粘合层和所述带状物连接层的宽度。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述底切具有1μm至10μm的宽度。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括：

隧道层，所述隧道层形成在所述半导体基板的所述一个表面与所述导电型区域之间。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括：

阻挡区域，所述阻挡区域形成在所述第一导电型区域与所述第二导电型区域之间。