[发明专利]渐变折射率材料制备方法

权利要求书

1.一种渐变折射率材料制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

提供一基底，采用掠入射角镀膜或者化学腐蚀方式在所述基底表面镀渐变折射率层，所述渐变折射率层是以传统光学材料为基础，通过改变结构中材料与空隙的体积比，从而调节所述渐变折射率层的有效折射率。

2.根据权利要求1所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述基底为发光二极管芯片、玻璃或者硅片。

3.根据权利要求1所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述渐变折射率层为单层、双层或多层。

4.根据权利要求3所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述渐变折射率层的单层厚度范围为10～10000nm。

5.根据权利要求1所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述渐变折射率层的折射率随位置不同，呈阶梯分布或渐变分布。

6.根据权利要求1所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述渐变折射率层呈纳米柱、纳米螺旋或者Z型纳米线结构，通过调节镀膜工艺来调节其密度、尺寸和取向。

7.根据权利要求1所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括采用掠入射角镀膜工艺在所述渐变折射率层表面制备顶盖层的步骤，所述顶盖层的厚度范围为5～200nm。

8.根据权利要求1所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述渐变折射率材料层为介质材料或导电材料。

9.根据权利要求8所述的渐变折射率材料制备方法，其特征在于：所述介质材料选自TiO₂、SiO₂、Ta₂O₃或Si₃N₄中的一种或两种的组合，所述导电材料选自ITO、FTO或掺杂的氧化锌中的一种或两种的组合。