[发明专利]显示装置、其使用方法和用途及光线治疗装置有效
申请号: | 201510117641.X | 申请日: | 2015-03-17 |
公开(公告)号: | CN105023936B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 赵慜暻;金学善;朴源祥;白种仁;朴时俊;李普燮;柳垈成 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;(株)爱术特 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;A61N5/06 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 使用方法 用途 光线 治疗 装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括:
基底;
显示单元,形成在所述基底上,并且包括红像素、绿像素和蓝像素,所述红像素、绿像素和蓝像素中的每个包括有机发光二极管;
控制器,被配置为向所述显示单元供应驱动信号,并且具有被配置为选择显示模式和光线治疗模式中的至少一种模式的模式改变功能,
其中,所述红像素中的所述有机发光二极管发射峰值波长为628nm至638nm的红光,
其中,所述红像素中的所述有机发光二极管包括彼此对置的像素电极和共电极,
其中,所述像素电极与所述共电极之间的距离被构造成满足所发射的红光的波长的相长干涉条件以形成强共振结构,所述强共振结构放大了所述红光的强度并且使所述红光的半峰全宽大于等于1nm且小于等于40nm,
其中,当选择所述显示模式时,所述红像素、所述绿像素和所述蓝像素被供应以驱动信号,当选择所述光线治疗模式时,仅所述红像素被供应以所述驱动信号。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于:
所述控制器被配置为当选择所述光线治疗模式时计算与推荐的每日允许光暴露量对应的需要的使用时间,将所述需要的使用时间和实际使用时间进行比较,如果所述实际使用时间满足所述需要的使用时间,则自动结束所述光线治疗模式。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于:
所述控制器被配置为以声音信息形式或视觉信息形式将与所述需要的使用时间和所述实际使用时间之差相对应的剩余使用时间通知给用户。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于:
所述红像素还包括:
薄膜晶体管,形成在所述基底上,其中,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管;以及
发光层,形成在所述像素电极上,其中,所述共电极形成在所述发光层上。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其特征在于:
所述像素电极由金属反射层形成,并且所述共电极由透反射层形成,以形成所述强共振结构。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于:
所述像素电极由金属反射层和透明导电层的双层形成。
7.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于:
覆盖层形成在所述共电极上。
8.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其特征在于:
所述像素电极由透明导电层和透反射层的双层形成,并且所述共电极由金属反射层形成,以形成所述强共振结构。
9.一种使用如权利要求1所述的有机发光显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
通过使用所述有机发光显示装置将目标暴露于红光。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于:
所述红光的强度为大于等于1μW/cm2且小于等于100μW/cm2。
11.一种如权利要求1所述的有机发光显示装置在制造光线治疗装置中的用途,其特征在于,所述用途包括:
将所述有机发光显示装置包括在光线治疗装置中或者将所述有机发光显示装置用作光线治疗装置。
12.一种光线治疗装置,其特征在于,所述光线治疗装置包括如权利要求1所述的有机发光显示装置或者由所述有机发光显示装置构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的