[发明专利]一种制备混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3‑xClx梯度膜的方法有效
申请号: | 201510118617.8 | 申请日: | 2015-03-18 |
公开(公告)号: | CN104716263B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 王镜喆;徐春花;刘玉亮;柳勇;吴文斌;敖宁;赵旭;徐申生;张柯柯;熊进辉 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 | 代理人: | 罗民健 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 混合 卤化物 钙钛矿 ch3nh3pbi3 xclx 梯度 方法 | ||
技术领域
本发明涉及钙钛矿太阳能电池的光电转换材料的制备技术领域,具体涉及一种制备混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3-xClx梯度膜的方法。
背景技术
卤化物钙钛矿CH3NH3PbX3 (X = Cl, Br, I) 是一种低成本、容易制备的新型敏化太阳能电池的感光材料。这种具有钙钛矿结构的有机金属卤化物具有良好的光吸收、光电转换特性。同时,由于其制备简单、设备低廉,在短短的几年时间内取得了突飞猛进的发展。目前,钙钛矿太阳能电池在实验室得到的效率已达16.2%(Nam J. J., Lee H. J., Kim Y. C., etc. O-methoxy substituents in spiro–ometad for efficient inorganic–organic hybrid perovskite solar cells. Journal of the American Chemical Society,136, 2014, 7837-7840)。据研究发现混合型CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿被激发后电子与空穴的存在时间比CH3NH3PbI3钙钛矿电子与空穴的存在时间长10倍,说明混合型CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿的电池效率会大大提高(Samuel D., Stranks G. E., Marcelo J. P., etc. Electron-hole diffusion lengths exceeding micrometer in an organometal trihalide perovskite absorber[J]. Science 2013, (342): 338–341)。
感光材料的能带带隙是制备太阳能电池的重要指标,其值的大小直接影响材料吸收不同波长的太阳光光谱。CH3NH3PbI3 的能带带隙为1.51eV (Jeon NJ, Lee HG, Kim YC, Seo J, Noh JH, Lee J, Seok SI. O-Methoxy substituents in spiro–OMeTAD for efficient inorganic–organic hybrid perovskite solar cells. J. Am. Chem. Soc. 2014; [cited 2014 May 17] available from http://pubs.acs.org.)而CH3NH3PbCl3的能带带隙为3.11eV。制备混合型CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿梯度膜能够使膜的能带带隙在1.51~3.11eV中的某一区间内连续变化,从而梯度膜能够有效地对不同波长的太阳光进行光电转换,从而提高太阳能电池的转换效率。CH3NH3PbI3-xClx梯度膜的x值变化与能带带隙的关系如图1所示。目前,尚未见有混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3-xClx梯度膜制备方法的报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3-xClx梯度膜的制备方法,所制备的钙钛矿CH3NH3PbI3-xClx薄膜中,分子式中的x值在薄膜的不同位置显梯度分布,因此称梯度膜,本方法制备薄膜的设备简单、成本低廉。
为达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种制备混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3-xClx梯度膜的方法,包括如下步骤:
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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