[发明专利]一种薄膜晶体管的源漏电极及制备方法、薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的源漏电极，其特征在于，由依次叠设的钼层和铜层构成，所述铜层设于所述钼层的上方；所述钼层设于薄膜晶体管的有源层的上方；所述铜层和钼层的晶格生长方向相互垂直。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的源漏电极，其特征在于，所述钼层的厚度为20～40nm。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的源漏电极，其特征在于，所述铜层的厚度为150～250nm。

4.权利要求1～3任一项所述薄膜晶体管的源漏电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在5～25sccm的Ar气环境下，气压为1～7mTorr，以50～200瓦功率，在薄膜晶体管的有源层的溅射制备钼薄膜作为钼层；

(2)在10～30sccm的Ar气环境下，气压为1～7mTorr，以100～500瓦功率，在钼层溅射制备铜薄膜作为铜层。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括权利要求1～3任一项所述的源漏电极。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次包括基板、底栅极、栅极绝缘层、有源层、钼层和铜层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板为玻璃基板；所述底栅极为铝合金底栅极；所述栅极绝缘层为Al₂O₃栅极绝缘；所述有源层为a-IGZO有源层。

8.权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.首先在玻璃基板上直流溅射并湿法刻蚀沉积金属薄膜作为底栅极；

b.再在底栅极上采用化学阳极氧化法制备栅极绝缘层；

c.在栅极绝缘层上沉积有源层作为沟道层并进行图形化；

d.在图形化后的有源层上依次制备钼层和铜层，并采用lift-off工艺进行图形化。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.首先在玻璃基板上直流溅射并湿法刻蚀沉积铝合金薄膜作为底栅极；

b.再在底栅极上采用化学阳极氧化法制备一层Al₂O₃栅极绝缘层；

c.在室温下通过射频磁控溅射a-IGZO薄膜作为有源层，并采用湿法刻蚀使a-IGZO薄膜图形化，然后在250～300℃的空气气氛中退火30～40min；

d.在5～25sccm的Ar气环境下、气压为1～7mTorr、以50-200瓦功率溅射钼薄膜作为钼层，然后在10～30sccm的Ar气环境下、气压为1～7mTorr、以100～500瓦功率溅射铜薄膜作为铜层；然后对所制备的钼层和铜层整体采用剥离工艺进行图形化。