[发明专利]一种LDO电路

权利要求书

1.一种LDO电路，其特征在于，包括：LDO核心电路；

LDO核心电路包括：第一电流NMOS管、第二电流NMOS管、第四电流NMOS管、第零电压平移PMOS管、第二电流PMOS管、第三电流PMOS管、NMOS功率管、第零电阻、第零电容和第一电容；

其中，第零电压平移PMOS管的漏端与第一电流NMOS管的漏端相连，第零电压平移PMOS管的源端与NMOS功率管的源端和第一电容相连，第一电流NMOS管的源端与第二电流NMOS管的源端均与地相连，第二电流NMOS管的漏端与NMOS功率管的栅端相连，第三电流PMOS管的源端与电源电压相连，第三电流PMOS管的漏端与第四电流NMOS管的漏端相连，第二电流PMOS管的源端与NMOS功率管的漏端均与电源电压相连，第二电流PMOS管的漏端与NMOS功率管的栅端和第零电容相连，第二电流PMOS管的栅端与第一电容相连，第零电容和第零电阻串联。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：电压缓冲及平移电路；

电压缓冲及平移电路包括：运算放大器、尾电流NMOS管、第一电压平移PMOS管、第四电流PMOS管、第一电阻和第二电容；

其中，运算放大器的正输入端与第一电压平移PMOS管的源端相连，第一电压平移PMOS管的漏端与尾电流NMOS管的漏端相连，运算放大器的输出端与第一电阻相连，第一电阻和第二电容串联，第四电流PMOS管的栅端与第一电阻相连，第四电流PMOS管的漏端与第二电容相连，第四电流PMOS管的源端与电源电压相连。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：偏置电压电路；

偏置电压电路包括：偏置电压产生电路、电源电压、接地端、输入参考电压和输入偏置电压；其中，偏置电压产生电路包括：电流产生NMOS管、第五电流PMOS管、第六电流PMOS管、偏置电压产生NMOS管、偏置电压产生PMOS管；

其中，输入偏置电压与电流产生NMOS管的栅端相连，电流产生NMOS管的漏端与第五电流PMOS管的漏端相连，电流产生NMOS管的源端与接地端相连，第五电流PMOS管的源端与电源电压相连，第五电流PMOS管的栅端与第六电流PMOS管的栅端相连，第六电流PMOS管的源端与电源电压相连，第六电流PMOS管的漏端与偏置电压产生PMOS管的源端相连，偏置电压产生PMOS管的漏端与偏置电压产生NMOS管的漏端相连，偏置电压产生PMOS管的栅端与偏置电压产生NMOS管的栅端相连，偏置电压产生NMOS管的源端与接地端相连。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，流经第零电压平移PMOS管的电流与流经第一电压平移PMOS管的电流相等。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，运算放大器的负输入端与来自带隙基准或者电压缓冲器的参考电压相连。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，来自带隙基准或者电压缓冲器的参考电压与LDO电路的输出电压相等。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，第二电流PMOS管和第二电流NMOS管组成第一级共源放大器。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，第一电流NMOS管、第四电流NMOS管和第三电流PMOS管组成共栅放大器。

9.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，第四电流PMOS管和第三电流PMOS管组成第二级共源放大器。