[发明专利]一种单端输入双平衡无源混频器有效
申请号: | 201510119931.8 | 申请日: | 2015-03-18 |
公开(公告)号: | CN104702219B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 陈超;吴建辉;李红 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入 平衡 无源 混频器 | ||
技术领域
本发明涉及到一种低功耗单端输入双平衡无源混频器,属于混频器技术领域。
背景技术
在射频接收系统中,混频器负责将射频信号变频至基带或者中频频段,是接收链路中的核心模块,作为射频信号和中频信号的链接,其功耗水平在接收链路中占据了可观的份额。因此为了实现整体接收电路的低功耗,对混频器功耗的优化设计十分关键。从射频前端的结构上看,在很多情况下为了与天线直接耦合,射频前端的低噪声放大器采用单端输入、单端输出的结构。而混频器从性能和端口隔离的角度看则宜采用差分的双平衡结构。在这种情况下,需要一种单端输入的双平衡混频器去匹配低噪声放大器。比较常见的方式是将常规的全差分混频器接成伪差分的方式,然而从功耗层面上看,伪差分方式浪费了其中一条跨导支路的偏置电流,影响了功效。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种单端输入双平衡无源混频器,其节约了一半的跨导级电流,实现了同样的等效跨导、显著降低功耗,同时适用于单端输入,差分输出应用场合的无源混频器。
技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种单端输入双平衡无源混频器,包括巴伦跨导级、无源本振开关以及跨阻放大器;所述跨导级负责将输入射频电压转化为射频电流;无源本振开关对该射频电流进行变频作用;跨阻放大器则负责将中频电流转化成输出中频电压,所述巴伦跨导级采用单路偏置电流实现双路差分电流输出的跨导级电路,该跨导级利用无源本振开关的阻抗搬移作用,在本振频率处拉低跨导级输出阻抗并构造类似交流虚地;当输入电压变化时,跨导管分别从差分输出端抽拉电流,实现单路偏置电流实现双路差分电流输出的功能。
所述巴伦跨导级包括第一跨导放大器(A1)、第一、第二、第三NMOS管、第一PMOS管,输入电压接第三NMOS管(MN3)的栅极,第三NMOS管(MN3)的源极接第二NMOS管(MN2)的漏极;第二NMOS管(MN2)的源极接地,而栅极接第一NMOS管(MN1)的栅极;第一NMOS管(MN1)的源极接地,而栅极和漏极接参考电流源的负端,参考电流源的正端接电源;第三NMOS管(MN3)的漏极接第一PMOS管(MP1)的漏极,第一PMOS管(MP1)的源极接电源,而栅极接第一跨导放大器(A1)的输出端;第一跨导放大器(A1)的负输入端接参考电压,而正输入端接第一电阻(R1)的正端,第一电阻(R1)的负端接第一PMOS管(MP1)的漏极;第二电阻(R2)的正端与第一跨导放大器(A1)的正输入端相连,第二电阻(R2)的负端与第三NMOS管(MN3)的栅极相连。
所述无源本振开关包括第一、第二电容;所述第一电容(C1)的正端连第三NMOS管(MN3)的漏极,而负端连第二PMOS管(MP2)的源极以及第三PMOS管(MP3)的源极;第二电容(C2)的正端连第三NMOS管(MN3)的源极,而负端连第四PMOS管(MP4)的源极以及第五PMOS管(MP5)的源极。
所述跨阻放大器包括第二跨导放大器(A2),所述第二PMOS管(MP2)的漏极与第四PMOS管(MP4)的漏极接第二跨导放大器(A2)的负输入端,第三PMOS管(MP3)的漏极和第五PMOS管(MP5)的漏极接第二跨导放大器(A2)的正输入端;第二跨导放大器(A2)和第五PMOS管(MP5)的栅极接本振信号负极,第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的栅极接本振信号正极;第三电阻(R3)的正端与第三电容(C3)的正端接第二跨导放大器(A2)的正输入端,第三电阻(R3)的负端与第三电容(C3)的负端接第二跨导放大器(A2)的负输出端;第四电阻(R4)的正端与第四电容(C4)的正端接第二跨导放大器(A2)的负输入端,第四电阻(R4)的负端与第四电容(C4)的负端接第二跨导放大器(A2)的正输出端。
有益效果:本发明提供的单端输入双平衡无源混频器,相比现有技术,具有以下效果:
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