[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供与衬底的接合牢固并且可靠性高的半导体装置。外部引线（5）经由内部引线与内部引线吊线（3）电连接，从而在外部引线切断面（11）也形成镀层被膜，使得容易在从密封树脂（10）延伸出的外部引线整个表面形成焊锡层。另外，在内部引线吊线（3）设有第1收缩部（12a），能够抑制切断内部引线吊线时的损伤。

技术领域

本发明涉及利用引线框的半导体装置及其制造方法。

背景技术

随着近年来的便携电子设备的小型化，所使用的半导体封装也需要小型化、薄型化且确保安装强度的半导体封装。作为将半导体封装小型化的对策，已知对衬底安装面平行引出外部端子的表面安装型封装。作为这类封装有SON（小外型无引脚封装：SmallOutline Non－Lead Package）、QFN（四边扁平无引脚封装：Quad Flat Non－LeadPackage）等。与DIP（双列直插式封装：Dual Inline Package）、SOP（小外型封装：SmallOutline Package）相比，这些封装在安装于衬底时的外部电极较小，因此有衬底安装后的焊脚形成少、安装强度弱的特征。另外，这些封装的制造多采用以冲压模具或利用蚀刻的加工制作的引线框。引线框的材料一般使用194合金材料或铜合金。

在采用该引线框的半导体装置的制造中，向引线框上搭载半导体芯片，以金属丝电连接半导体芯片和引线框并进行树脂密封加工，在执行去飞边处理后，对铜面执行外装镀层处理。在外装镀层处理后，以既定尺寸从引线框切开半导体装置。由于这样在外装镀层处理后从引线框切开半导体装置，所以在外部引线切断面不形成外装镀层被膜。因此在将半导体装置安装于衬底时，有焊锡润湿性差的问题。为了提高以这些条件制作的半导体封装的安装强度，并且为了变更外部引线前端部的、平面形状或截面形状从而提高衬底安装后的焊锡润湿性，提出了容易形成焊脚并提高安装强度的形状（例如，参照专利文献1、2）。

专利文献1：日本特开2006－19465号公报

专利文献2：日本特开平7－45769号公报。

发明内容

然而，在进行半导体装置的小型化、薄型化的过程中，会要求进一步提高半导体装置的衬底安装强度。本发明提供提高了对半导体装置的衬底的焊锡粘接强度的半导体装置及其制造方法。

为了解决上述课题，采用了以下方案。

首先，一种半导体装置，包括：密封树脂，覆盖承载于引线框的岛部（island）上的半导体芯片；以及外部引线，从所述密封树脂向侧面延伸出，所述半导体装置的特征在于，具备：内部引线，与所述外部引线连接；内部引线吊线，与所述内部引线连接，并从所述密封树脂延伸出；以及镀层被膜，设置在所述外部引线整个表面，所述内部引线吊线具有俯视下与所述密封树脂的外形重叠的第1收缩部（絞り部）。

另外，半导体装置的特征在于，所述内部引线吊线在俯视下在所述密封树脂内具有第2收缩部。

另外，半导体装置的特征在于，在所述第1收缩部设有V凹口。

另外，半导体装置的特征在于，在所述第1收缩部与所述第2收缩部之间设有通孔。

进而，一种半导体装置的制造方法，其中半导体装置包括：覆盖承载于引线框的岛部上的半导体芯片的密封树脂、和从所述密封树脂向侧面延伸出的外部引线，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：准备具备所述岛部、接近所述岛部的内部引线、与所述内部引线连接的内部引线吊线及所述外部引线、以及与所述岛部连接的岛部吊线，并且在所述内部引线吊线具有第1收缩部的引线框的工序；将所述半导体芯片小片接合、引线接合和树脂密封的工序；切断所述外部引线的前端的工序；通过电解镀在所述外部引线的切断面形成镀层被膜的工序；将所述内部引线吊线在所述第1收缩部切断的工序；以及切断所述岛部吊线的工序。