[发明专利]监测传输线脉冲静电放电测试响应的方法和系统有效
申请号: | 201510121166.3 | 申请日: | 2015-03-19 |
公开(公告)号: | CN104678270B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 赖灿雄;肖庆中;尧彬;路国光;曾畅;郝立超 | 申请(专利权)人: | 工业和信息化部电子第五研究所 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 周清华 |
地址: | 510610 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 传输线 脉冲 静电 放电 测试 响应 方法 系统 | ||
1.一种监测传输线脉冲静电放电测试响应的方法,其特征在于,包括步骤:
通过光发射显微镜采集待测电子元器件的光学反射像;
通过TLP测试系统施加传输线脉冲到所述待测电子元器件;
通过光发射显微镜采集所述传输线脉冲放电过程的光发射图像;
通过TLP测试系统测量施加所述传输线脉冲后所述待测电子元器件管脚间的漏电流;
若所述漏电流大于等于预设阈值,或者所述传输线脉冲达到设定的最大脉冲电压,结束测试;若所述漏电流小于预设阈值且所述传输线脉冲未达到所述最大脉冲电压,增加所述传输线脉冲的脉冲电压,得到新的传输线脉冲,返回通过TLP测试系统施加传输线脉冲到所述待测电子元器件的步骤;
将采集的各光发射图像与所述光学反射像叠加,定位所述待测电子元器件的静电放电通道和损伤点。
2.根据权利要求1所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的方法,其特征在于,通过TLP测试系统施加传输线脉冲到所述待测电子元器件的步骤之后,还包括步骤:
通过TLP测试系统测量并记录所述传输线脉冲施加在所述待测电子元器件上的脉冲电压,以及通过所述待测电子元器件的电流;
根据所述脉冲电压和电流得到所述待测电子元器件的电流与脉冲电压之间的变化关系曲线。
3.根据权利要求1所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的方法,其特征在于,通过TLP测试系统施加传输线脉冲到所述待测电子元器件的步骤之前,还包括步骤:
通过TLP测试系统测量待测电子元器件管脚间的初始漏电流。
4.根据权利要求3所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的方法,其特征在于,通过TLP测试系统测量待测电子元器件管脚间的初始漏电流的步骤之前,还包括步骤:
将TLP测试系统的测试电极与所述待测电子元器件管脚连接。
5.根据权利要求1所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的方法,其特征在于,通过光发射显微镜采集所述待测电子元器件的光学反射像的步骤之前,还包括设置光发射显微镜扫描参数的步骤。
6.一种监测传输线脉冲静电放电测试响应的系统,其特征在于,包括TLP测试系统、光发射显微镜;
所述TLP测试系统用于施加传输线脉冲到待测电子元器件;测量施加所述传输线脉冲后所述待测电子元器件管脚间的漏电流;在所述漏电流大于等于预设阈值,或者所述传输线脉冲达到设定的最大脉冲电压时,结束测试;在所述漏电流小于预设阈值且所述传输线脉冲未达到所述最大脉冲电压时,增加所述传输线脉冲的脉冲电压,得到新的传输线脉冲,重新施加所述新的传输线脉冲到所述待测电子元器件;
所述光发射显微镜用于采集所述待测电子元器件的光学反射像;在所述TLP测试系统施加传输线脉冲时,采集所述传输线脉冲放电过程的光发射图像;在测试结束后,将采集的各光发射图像与所述光学反射像叠加,定位所述待测电子元器件的静电放电通道和损伤点。
7.根据权利要求6所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的系统,其特征在于,所述TLP测试系统施加传输线脉冲到所述待测电子元器件之后,还用于测量并记录所述传输线脉冲施加在所述待测电子元器件上的脉冲电压,以及通过所述待测电子元器件的电流;根据所述脉冲电压和电流得到所述待测电子元器件的电流与脉冲电压之间的变化关系曲线。
8.根据权利要求6所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的系统,其特征在于,所述TLP测试系统施加传输线脉冲到所述待测电子元器件之前,还用于测量待测电子元器件管脚间的初始漏电流。
9.根据权利要求8所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的系统,其特征在于,所述TLP测试系统测量待测电子元器件管脚间的初始漏电流之前,其测试电极与所述待测电子元器件管脚连接。
10.根据权利要求6所述的监测传输线脉冲静电放电测试响应的系统,其特征在于,所述光发射显微镜采集所述待测电子元器件的光学反射像之前,先进行扫描参数设置。
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