[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，其特征在于，

步骤1、分别获取待测金属氧化物半导体场效应晶体管栅极的两个不同输入电压信号频率为f₁和f₂所对应的待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容-电压特性曲线和电容-电压特性测试数据；

步骤2、对步骤1获得的待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容-电压特性曲线和电容-电压特性测试数据进行修正，得到修正后的实际电容-电压数据离散点，并据此绘制成修正后的电容-电压特性曲线；

所述修正方法是以式1为修正模型，对电容-电压特性测试数据中的电容进行修正，所述修正模型为：

其中C为金属氧化物半导体场效应晶体管实际电容，f₁和f₂分别为两次测试时所加电压信号的频率，C_m1是输入电压信号的频率为f₁时所测得的电容，C_m2是输入电压信号的频率为f₂所测得的电容。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，其特征在于，待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容-电压特性曲线和电容-电压特性测试数据的获取方法如下：

步骤1.1、准备金属氧化物半导体场效应晶体管的电容-电压特性测试的实验仪器和样品：实验仪器主要包括：探针台、安捷伦E4980A精密LCR测量表、计算机；

步骤1.2、通过探针选择待测的金属氧化物半导体场效应晶体管，将金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极G连接安捷伦E4980A精密LCR测量表输入端口，器件的衬底B接测量表的地端口(GND)，器件的源极和漏极浮空；

步骤1.3、设置安捷伦E4980A精密LCR测量表对器件栅极的输入电压参数，电压施加方式是由正压扫描到负压，扫描电压范围为+5V到-5V，扫描步长为0.1V，输入电压信号频率为f₁，打开测量表电源进行金属氧化物半导体场效应晶体管的电容-电压特性测试，测试过程中监测电容-电压特性曲线并保存电容-电压特性测试数据；

步骤1.4、保持金属氧化物半导体场效应晶体管样品、实验装置连接和其他测试条件不变，仅将步骤1.3中输入电压信号的频率改变为f₂，然后进行与步骤1.3相同的电容-电压特性测试，测试过程中监测电容-电压特性曲线并保存电容-电压特性测试数据。