[发明专利]传感器及其制造方法、高度计、电子设备和移动体

权利要求书

1.一种物理量传感器，其特征在于，所述物理量传感器具有：

基板，其具有通过受压而挠曲变形的膜片部；

元件，其配置于所述膜片部并由于变形而输出信号；以及

壁部，其与所述膜片部一起构成压力基准室，

所述壁部具有布线层。

2.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，

所述物理量传感器具备配置在所述元件和所述压力基准室之间的绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的物理量传感器，其中，

所述绝缘膜包括氮化硅膜。

4.根据权利要求3所述的物理量传感器，其中，

所述绝缘膜包括配置在所述氮化硅膜和变形检测元件之间的二氧化硅膜。

5.根据权利要求2所述的物理量传感器，其中，

所述壁部的下述部分含有导电性材料，在从所述膜片部的厚度方向进行俯视观察时，所述部分与所述元件重叠。

6.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，

所述物理量传感器具备耐腐蚀膜，所述耐腐蚀膜配置在所述元件和所述压力基准室之间，针对缓冲氢氟酸具有耐腐蚀性。

7.一种物理量传感器的制造方法，其特征在于，所述物理量传感器的制造方法包括以下工序：

在基板的一个面侧形成由于变形而输出信号的元件；

在所述基板上，在所述元件的上方形成二氧化硅膜；

在所述二氧化硅膜的与所述基板相反一侧形成具有贯通孔的膜体；

通过所述贯通孔利用蚀刻去除所述二氧化硅膜的一部分，由此形成压力基准室；

将所述贯通孔密封；以及

在所述基板的与所述压力基准室相反一侧的面上形成凹部，由此形成配置有所述元件的膜片部。

8.根据权利要求7所述的物理量传感器的制造方法，其中，

所述物理量传感器的制造方法包括下述工序：

在形成所述二氧化硅膜的工序之前，在所述基板上，在所述元件的上方形成氮化硅膜。

9.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器具有权利要求1所述的物理量传感器。

10.一种高度计，其特征在于，所述高度计具有权利要求1所述的物理量传感器。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具有权利要求1所述的物理量传感器。

12.一种移动体，其特征在于，所述移动体具有权利要求1所述的物理量传感器。