[发明专利]一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法

权利要求书

1.一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：其步骤为：

(1)化学镀镍：用激光切割的方式将做好的硅微通道版切割成所需要的大小、形状；将切割好的硅微通道用物理及化学方法清洗，放入配置好的镀镍溶液中，在90℃的水浴环境下进行电化学镀镍；

(2)电化学镀镍：为了提高表面镍层的厚度，提高样品的导电性，需要在化学镀镍之后的样品表面用电化学的方法沉积一层100nm厚度的镍层；

(3)生长纳米结构：将处理过的硅微通道放入配置好的反应溶液使用水热法生长花瓣状材料，这种高温高压的环境沉积CoMoO₄纳米结构展现出良好的均匀性和一致性。

2.根据权利要求1所述的一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述化学沉积液为含有0.1～2mol/L的NiCl₂·6H₂O，0.1～2mol/L的Na₂HPO₄·7H₂O，0.1～2mol/L的NH₄Cl，并使用氨水调节溶液pH值到6～9。在40～90℃水浴环境下经行1～40分钟的化学镀镍。

3.根据权利要求1所述的一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述电化学沉积液为含有0.05～2mol/L的Ni(NO₃)₂·6H₂O与硼酸的混合液；在室温下将对电极与样品电极调整距离为0.1～2cm，沉积电流10～200mA，电沉积时间为50～300秒。

4.根据权利要求1所述的一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述的水热反应溶液为10～100mmol/L的(NH₄)6Mo₇O₂₄·4H₂O与10～100mmol/L的CoCl₂·6H₂O的混合液，并用水热法在120～220℃温度下水热0.5～2.5小时。通过控制所述水热时间的长短和温度来控制表面纳米材料的密度。