[发明专利]一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺有效

专利信息
申请号: 201510122261.5 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN104752526B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 瞿辉;徐春;曹玉甲;张一源 申请(专利权)人: 江苏顺风光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 代理人: 路接洲
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺
【权利要求书】:

1.一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜,其特征在于:包括在多晶硅片衬底正面依次沉积的采用高压电离或紫外电离氧气在刻蚀后多晶硅片表面生成的底层SiOx层、采用PECVD法将N2O、CO2、O2或其他含氧气体与SiH4一起在扩散面沉积的中间层SiOx层、采用PECVD设备在扩散面形成的中间层SiNx层以及采用PECVD设备在扩散面形成的顶层SiNx层;所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65~120nm,折射率为1.9~2.25;所述的中间层SiNx层的膜厚为10~50nm,折射率为2.2~2.4;所述的顶层SiNx层的膜厚为30~80nm,折射率为1.9~2.2;所述的顶层SiNx层为单层或多层;所述的底层SiOx层的膜厚为0.2~2nm,折射率为1.48~1.8;所述的中间层SiOx层的膜厚为2~20nm,折射率为1.4~1.8。

2.一种如权利要求1所述的高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜的制备工艺,其特征在于包括以下步骤:

1)、将原始硅片预处理;

2)、采用高压电离或紫外电离氧气在刻蚀后多晶硅片表面生成一层薄薄的致密底层SiOx层,折射率为1.48~1.8,膜层厚度为0.2~2nm;

3)、采用PECVD法将N2O、CO2、O2或其他含氧气体与SiH4一起在扩散面沉积中间层SiOx层,镀膜时取消预淀积步骤;中间层SiOx层的折射率为1.4~1.8,膜层厚度为2~20nm;再采用PECVD设备在扩散面镀中间层SiNx层,折射率为2.20-2.40,膜层厚度为10-50nm;最后采用PECVD设备在扩散面镀顶层SiNx层,折射率为1.90-2.20,膜厚为30-80nm;顶层SiNx层为单层或多层;

4)、使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极,并烧结。

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