[发明专利]选择性地抛光碳化硅膜的方法

权利要求书

1.用于从基材表面优先于二氧化硅选择性地移除碳化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使该基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触；和

(b)使该基材与该抛光垫之间发生相对运动并同时保持该含水CMP组合物的一部分与在该垫和该基材之间的表面接触一段足以从该表面磨除存在于该基材中的碳化硅的至少一部分的时间；

其中该含水CMP组合物包含以在0.1重量％至5重量％范围内的浓度存在的粒状氧化铝掺杂的胶态二氧化硅研磨剂和提供在2至7范围内的pH的酸性缓冲剂，该含水CMP组合物能够以比同时发生的存在于该基材表面上的二氧化硅的磨除高的移除速率磨除存在于该基材表面上的碳化硅，其中，所述氧化铝掺杂的二氧化硅包含基于该颗粒重量的600至800ppm的铝且具有在40至150nm范围内的粒度。

2.权利要求1的方法，其中该酸性缓冲剂包括有机酸。

3.权利要求1或2的方法，其中该有机酸包括羧酸、膦酸、或它们的组合。

4.权利要求1或2的方法，其中该有机酸包括乙酸、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸和氨基酸之一。

5.前述权利要求之一的方法，其中该CMP组合物包含少于0.5重量％的有机材料。

6.权利要求1的方法，其中该酸性缓冲剂包括无机酸。

7.权利要求1的方法，其中该酸性缓冲剂包括磷酸。

8.权利要求1的方法，其中该二氧化硅以在0.1重量％至2重量％范围内的浓度存在。

9.权利要求1的方法，其中该二氧化硅具有在80纳米至140纳米范围内的平均粒度。

10.权利要求1或2的方法，其中该酸性缓冲剂提供在2至5范围内的pH。

11.权利要求1的方法，其中该CMP组合物不含表面活性剂和氧化剂。

12.在CMP过程中调节碳化硅相对于二氧化硅从基材表面移除的选择性的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使用包含粒状二氧化硅研磨剂和酸性缓冲剂的CMP组合物在预定抛光条件下抛光碳化硅基材和二氧化硅基材；

(b)对在步骤(a)中抛光的所述基材测定碳化硅与二氧化硅的移除速率比；

(c)改变抛光参数以如所需要的那样提高或降低该碳化硅与二氧化硅的移除速率比；

所述待改变的抛光参数选自该组合物的pH、该组合物中该缓冲剂的浓度、该组合物中二氧化硅的浓度、或者前述参数中的两种或更多种的组合。

13.权利要求12的方法，其中所述待改变的参数为以下之一：该组合物中缓冲剂的浓度、或该组合物的pH、或该组合物中二氧化硅的浓度。

14.权利要求12或13的方法，其中该粒状二氧化硅研磨剂包括具有在40至150纳米范围内的平均粒度的氧化铝掺杂的胶态二氧化硅。