[发明专利]导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201510124556.6 | 申请日： | 2015-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733541B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 操彬彬;林致远 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种导电结构的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上依次形成阻挡金属薄膜、与所述阻挡金属薄膜层叠设置的铜金属薄膜；
在所述铜金属薄膜上形成预设的光刻胶图案；
对所述阻挡金属薄膜以及所述铜金属薄膜进行刻蚀；
对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理，以在所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁分别生成对应的金属氧化物层，所述金属氧化物层可以防止所述铜金属薄膜与所述阻挡金属薄膜之间的界面分离现象；
采用剥离液剥离所述光刻胶图案；
所述阻挡金属薄膜的材料为Mo、MoNb或MoTi。
2.根据权利要求1所述的导电结构的制作方法，其特征在于，对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理包括：对所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴漏出的侧壁进行氧等离子体处理。
3.根据权利要求1所述的导电结构的制作方法，其特征在于，对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理包括：对所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴漏出的侧壁进行臭氧处理。
4.根据权利要求1所述的导电结构的制作方法，其特征在于，对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理包括：将所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴漏出的侧壁置于空气中后加热处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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